SiC和GaN是在800V高压平台电动汽车的牵引逆变器、车载充电器和DC-DC转换器等应用中最受青睐的两种宽禁带半导体材料。 2. 消费领域的充电器和适配器:WBG宽禁带半导体可以提高充电器和适配器的效率,从而缩短充电时间,提高用户体验。 3. 电信通信:WBG宽禁带半导体可以提...
第三代半导体使用的材料具有比硅和砷化镓更大的能隙,因此被称为宽禁带(WBG)半导体。这些半导体包括使用碳化硅、氮化铝、氮化镓、金刚石或氧化锌作为基础材料的半导体。其中,比较成熟的是SiC和GaN。 硅基MOSFET和IGBT是电动汽车行业的主流功率半导体器件。然而,硅基功率半导体在 400V 电动汽车上已达到其理论性能极限。因...
宽能隙半导体(WBG)因其耐高压、耐高温以及低损耗特性,逐渐成为电池能源、新能源车动力系统及新世代通信等多个先进领域的核心技术。随着技术日益演进,国际规范也不断更迭,如何透过可靠性验证与失效分析技术,进一步提升WBG半导体产品竞争力呢? WBG宽能隙半导体 车用功率组件高电压时代来袭!两大面向确保WBG可靠度 随着科技...
然而,WBG半导体的封装和测试面临着一系列挑战。 电力半导体市场与宽禁带材料 全球电力半导体市场包括离散元件、模块和集成电路,服务于汽车、工业和消费电子领域。为了抓住电气化趋势,越来越多半导体公司专注于快速增长的电动汽车(EV)和可再生能源产品领域。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带(WBG)半导体中最常用的两种材...
为此,采用宽带隙(WBG)半导体,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),能够实现高效、强大且长期成本效益高的电源解决方案。此外,创新技术如顶部冷却可以帮助设计师实现最佳热性能并降低组装成本。 电动汽车中的电源转换系统,特别是车载充电器和DC-DC转换器,对于管理车辆内部的电力流动、优化充电过程以及促进各种电源的集成至关重要...
目前，基于碳化硅（SiC）的宽带隙（WBG）半导体正广泛应用于800V系统中的逆变器等关键组件中，这些组件...
第四代半导体,也被称为宽禁带半导体(Wide Bandgap Semiconductor, WBG),其优势包括: 1. 更高的工作温度:第四代半导体具有更高的材料熔点和更高的热稳定性,可以在高温环境下工作,可以被用于高温应用中,如气体开关、飞行器和火箭发动机等。 2. 更高的能效:相比于传统的半导体材料(如硅和锗),第四代半导体具有更...
探索宽带隙WBG半导体的基础知识和应用 GaN是氮化镓的化学名称缩写,属于第三代半导体,通常被称为「宽带隙」半导体(WBG),因为它需要相对较高的能量(与Si相比) 才能将原子的电子从价带(如绝缘体)击至导带(如导体)。本文将探索这种「宽带隙」(WBG)半导体的基础知识和应用。
半导体工业经历三个阶段，以硅和砷化镓为基的为第一、二代，而第三代半导体，以其较大能隙，被称为宽禁带(WBG)半导体。这类半导体以碳化硅、氮化铝、氮化镓、金刚石或氧化锌为基础，其中成熟应用的主要是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。在电动汽车行业，硅基MOSFET和IGBT成为主流功率半导体，但硅基器件在...
集成宽带隙(WBG)半导体器件作为硅技术在多种技术应用中的替代品,是一个不断增长的市场,可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本节约方面有很大的反响。WBG具有更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。继续阅读,了解更多关于基于WBG的半导体器件的广泛应用。