25°C下的电流-连续漏极(ID):20A (Ta), 54A (Tc)驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):4.5V, 10VVgs(th)(最大值)@内径:2.35V @ 50µAVGS(最大):±20V场效应晶体管特性:-功耗(最大):3.1W (Ta)操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)安装类型:表面安装供应商设备包:8-PQFN (5x6)包装/箱子:8-...
功率耗散(最大值) 7.4W(Ta),83W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-PowerSMD,扁平引线 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 型号 AON6512 技术参数 品牌: AOS 型号: AON6512 封装: DFN5*6 批号: 20+ 数量: 45000 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质...
3750+¥0.863 535pcs ≈0盘多 最长段535pcs 750pcs/盘 10pcs 起购 购买数量 pcs 整包数 盘 合计 ¥22.82 详细参数 商品编码03FH065524 原厂编码HA1040-R22MTH00 品牌风华 毛重0.4 封装规格1040 电感值220nH 精度±20% 额定电流54A 直流电阻0.002Ω ...
Findchips.com 注册或登入 请输入完整或部分制造商部件编号,最少3个字母或数字 K7H163654A-FC20与MT57W2MH18JF-4参数比较 全部数据只显示差异 K7H163654A-FC20 找不到芯片 搜索K7H163654A-FC20 MT57W2MH18JF-4 找不到芯片 搜索MT57W2MH18JF-4...
FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 30V Vgs(最大值): ±20V FET 功能: 肖特基二极管(体) 功率耗散(最大值): 7.4W(Ta),83W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价...
W2023 材质 其他 适用品牌 Samsung/三星 颜色分类 【背面膜】买1送1,【背面膜】买2送2,【背面膜】买4送4,【背面膜】买6送6,【背面膜】买8送8 贴膜类型 后膜 贴膜特点 磨砂,防指纹 适用手机型号 三星其他型号 图文详情 本店推荐 适用红米Note 14 Pro+轻薄后膜Redmi Note 14 Pro+ 5G背面膜24115RA8EC...
批号: 20+ 数量: 45000 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 30V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 7.4W(Ta),83W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳:...
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歼20B性能参数 歼20B的性能参数主要包括以下几个方面: 机体尺寸:长度为20.4米,翼展为13.5米,高度为4.45米,翼面积为78平方米。12 重量参数:空重约为19吨,最大起飞重量约为37... jform2.baidu.com/s?wd=歼20B性能参数...歼20B性能参数_百度搜索 歼20B性能参数 歼20B的性能参数主要...