具体到W-CDMA,要求Node B系统的ACLR在5MHz时要大于45dBc,10MHz时大于50dBc。考虑到功放的测试误差等,线性功放的指标应比这一要求高几个dB。 还需提出的是,前馈线性功放作为一个大功率部件,在具体设计时需十分重视效率。在满足线性的要求下,效率是功放中最根本的一项指标。不仅是基站的散热和能耗问题,更重要的是...
最大功耗(通常为80mA)可随输出功率的下降快速下降,在低增益范围内可降低至26mA。当输出功率最大时,在相应的接收频段,发射通道一般可实现-152 dBc/Hz的本底噪声,同时保持-43dBc的ACLR(有余量)和3%的EVM(典型值)。图8显示的是中心频率为1950MHz 时的典型调制输出频率。 芯片接口 串行控制总线 该集成电路由两个...
adjacent channel leakage power ratio (ACLR)drain efficiencygallium nitride high-electron-mobility transistor (GaN HEMT)wideband code-division multiple-access (W-CDMA)A novel high-efficiency Doherty amplifier is presented. A carrier amplifier and a peak amplifier in the Doherty amplifier are set to ...
最大功耗(通常为80mA)可随输出功率的下降快速下降,在低增益范围内可降低至26mA。当输出功率最大时,在相应的接收频段,发射通道一般可实现-152 dBc/Hz的本底噪声,同时保持-43dBc的ACLR(有余量)和3%的EVM(典型值)。图8显示的是中心频率为1950MHz时的典型调制输出频率。
MXG 矢量信号发生器具有业界高功率和失真性能组合,可确保准确的组件设计验证。当与 Signal Studio 软件等灵活的信号创建工具结合使用时,低 ACLR(对于 1 载波 W-CDMA,+5 dBm 时为 -73 dBc)使 MXG 成为 W-CDMA、WiMAX™ 等的完整解决方案。 延长正常运行时间 ...
This software enables you to analyze W-CDMA, HSUPA, and HSUPA+ uplink signals with standard-compliant, physical layer measurements such as error vector magnitude (EVM), code domain error (CDE), adjacent channel leakage ratio (ACLR), spectrum emission mask (SEM), and more. With RFmx, you ...
ACLR1 @ ± 5MHz时, HSDPA ACLR2 @ ± 10MHz的 ACLR2 @ ± 10MHz时, HSDPA EVM 线性效率 I CC (I CC , I CC _Bias ) 输入VSWR 谐波输出( 2FO ) 谐波输出( 3fo ) 分钟。 规范 典型值。 马克斯。 单位 条件 T C = + 25 ° C,V CC =3.4V, V 模式 =0V, V REG = 2.85V ,MOD =...
The low power mode reveals -33 dBc of adjacent channel leakage power ratio (ACLR) at 16 dBm with 14 mA of quiescent current. The high power mode exhibits 40% of PAE and -30 dBc of ACLR at the maximum output power of 28 dBm. 展开 ...
ACLR ACLR2 RX Band Noise B1 1950.0 2.0 1.3 -48.8 -50.9 -160.0 表-2 LTE/W-CDMA送信特性 LTE B4 B7 B17 B1 1727.5 2535.0 710.0 1950.0 2.0 2.0 2.0 3.0 1.3 1.7 1.1 1.9 -49.2 -53.6 -52.4 -44.8 -51.4 -55.6 -57.5 -73.5 -161.0 -158.0 -154.0 -160.0 W-CDMA B5 836.5 3.0 1.8 -46.7...
A 80W2-stage GaNHEMT Doherty Amplifier with-5OdBc ACLR, 42%Efficiency 32dBGainwithDPD forW-CDMA Basestation A 2-stage 80W amplifier, whichconsists ofa 450W saturated power GaN HEMT Doherty amplifier anda 30Wdriver, was developed. Atfirst we developed the450WGaN H... N Ui,H Sano 被引量...