工艺文件中常见的几种阈值电压,包括Vth_lin、Vth_sat和Vth_gm。 阈值电压Vth_lin是晶体管工作在线性区,当晶体管刚开始导通电流时对应的栅电压,即Vth_lin==Vg@Is=10nA*W/L, Vd=0.05V, vs=vb=0。 阈值电压Vth_sat是晶体管工作在饱和区,当晶体管开始导通电流时对应的栅电压,即Vth_sat==Vg@Is=10nA*W...
MOSFET的跨导gm是描述栅源电压对漏极电流控制能力的物理量。关于Vth_lin、Vth_sat和Vth_gm，以下是详细的解释：跨导gm：定义：跨导gm是描述MOSFET栅源电压Vgs变化对漏极电流Id影响程度的物理量。它是Ids对Vgs的偏导数，即gm = ∂Ids/∂Vgs。应用：跨导gm在模拟电路设计中非常重要，它决定...
工艺文件中提到的几种阈值电压包括Vth_lin、Vth_sat和Vth_gm。Vth_lin是晶体管线性区的阈值电压，表示晶体管开始导通时的栅电压。Vth_sat是晶体管在饱和区的阈值电压，也是开始导通时的栅电压，但其电流驱动能力更强。Vth_gm是跨导gm最大时对应的栅电压，表明晶体管工作在线性区时，最大跨导性能。从...