Vergiga-VSP004N10MS-G.pdf 2023-06-15 13:17:32 更新 1.27MB 发送到邮箱 下载 打开 基本介绍 替代型号Hot! 购买渠道 —— 芯片百科 —— 描述 N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、马达驱动等领域。
拆解发现其PCBA板背面焊接整流桥和协议芯片,初次级之间开槽并插入隔离板绝缘。 其内部的同步整流管来自威兆半导体,型号VSP004N10MS-G,是一颗耐压100V的NMOS,导阻为3.8mΩ,采用PDFN5060X封装。 VSP004N10MS-G采用无铅封装,具有增强模式和低导通电阻的特点,可应用于各功率范围的快充充电器。此前已经先后被小米67W ...
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