场效应管（MOSFET）VSE011N10MS-G，由Vergiga（威兆）生产，采用PDFN-8L(3.3x3.3)封装形式，具有100V的漏源电压（Vdss）和45A的连续漏极电流（Id），这些特性使其适用于多种电子产品和应用场景。以下是一些可能的应用领域和产品：1. **电源管理**：* 由于VSE011N10MS-G具有高的连续漏极电流和耐压能力...
Vergiga(威兆)场效应管(MOSFET) VSE011N10MS-G原厂一级代理分销库经销库075582542001，82574660谢谢惠顾~属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET)漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@10V,30A 功率(Pd)41W 属性参数值 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA 栅极电荷(Qg@...
商品型号 VSE011N10MS-G 商品编号 C3036347 商品封装 PDFN-8L(3.3x3.3) 包装方式 编带 商品毛重 0.077克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 45A 导通电阻(RDS(on)) 10mΩ@10V,30A 耗散功率(Pd) 41W 属性参数...
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VSE011N10MS-G 商品编号 C3036347 商品封装 PDFN-8L(3.3x3.3) 包装方式 编带 商品毛重 0.077克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)45A 导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V,30A ...