型号 VS3698AE-VB 类型 2个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 40A 功率(Pd) 标准 导通电阻 3.9mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V 栅极电荷(Qg@Vgs) 标准 输入电容(Ciss@Vds) 标准 反向传输电容(Crss@Vds) 标准 工作温度 标准 封装/规格 DFN8(3X3) 包装 编带...
威兆半导体VS3698AE是一款耐压30V，导阻3mΩ的NMOS，采用PDFN3333封装，其体积小、导通电阻极低，具有超高开关频率的同时可靠性非常稳定。据充电头网获悉，威兆半导体VS3698AE已经被摩托罗拉、mophie、小米、红米、绿联、黑鲨、Aohi、VIVO等多家大品牌采用，获得众多客户的高度认可。深圳市威兆半导体股份有限公司成立于201...
威兆半导体VS3698AE是一款耐压30V,导阻3mΩ的NMOS,采用PDFN3333封装,其体积小、导通电阻极低,具有超高开关频率的同时可靠性非常稳定。 据充电头网获悉,威兆半导体VS3698AE已经被摩托罗拉、mophie、小米、红米、绿联、黑鲨、Aohi、VIVO等多家大品牌采用,获得众多客户的高度认可。 深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012...
威兆半导体VS3698AE是一款耐压30V,导阻3mΩ的NMOS,采用PDFN3333封装,其体积小、导通电阻极低,具有超高开关频率的同时可靠性非常稳定。 据充电头网获悉,威兆半导体VS3698AE已经被摩托罗拉、mophie、小米、红米、绿联、黑鲨、Aohi、VIVO等多家大品牌采用,获得众多客户的高度认可。 深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012...
威兆半导体VS3698AE是一款耐压30V,导阻3mΩ的NMOS,采用PDFN3333封装,其体积小、导通电阻极低,具有超高开关频率的同时可靠性非常稳定。 据充电头网获悉,威兆半导体VS3698AE已经被摩托罗拉、mophie、小米、红米、绿联、黑鲨、Aohi、VIVO等多家大品牌采用,获得众多客户的高度认可。
据充电头网获悉,威兆半导体VS3698AE已经被摩托罗拉、mophie、小米、红米、绿联、黑鲨、Aohi、VIVO等多家大品牌采用,获得众多客户的高度认可。 深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012年, 总部位于深圳市南山智园崇文园区,毗邻中科院深圳研究院、南方科技大学等研究机构,在北京、 上海、珠海、成都、韩国水原等地设有研发...
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型号 : VS3698AE 品牌 : Vanguard/威兆半导体 封装 : PDFN3333 批号 : 21+ 标准包装 : -- 购买数量 : x￥2=￥20 库存 : 65000 QQ联系全网询价 投诉 深圳市蜀云天科技有限公司 所在地区 : 广东省深圳市 座机 : 0755-83382219 手机 : 13510109016 ...
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达）...
这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被**成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。