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型号 VND5N07TR-E 技术参数 品牌: ST/意法半导体 型号: VND5N07TR-E 封装: DPAK 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Id-连续漏极电流: 5 A Rds On-漏源导通电...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/负载驱动器 商品关键词 VND5N07、 VISHAY 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 批号: 24+ 数量: 8300 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 7.5V 长度:...
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价格 ¥ 3.00 起订数 2000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/负载驱动器 商品关键词 VND5N07、 onsemi(安森美)、 SC-70-6(SOT-363) 商品图片 商品参数 品牌: onsemi(安森美) 封装: SC-70-6(SOT-363) 批号: 24+ 数量: 8300 RoHS: 是 产品种...
The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics®VIPower®M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments....
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