VND5N07TR-E VND5N07 TO-252 负载驱动器 集成 IC芯片 VND5N07 50000 ST SOT-252 19+ ¥2.8000元1~999 个 ¥2.7000元1000~4999 个 ¥2.6000元>=5000 个 深圳市宏源欣电子科技有限公司 5年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 VND5N07 电源负载开关 ST/意法半导体 封装NA 批号22+ VND5N07...
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全新原装现货VND5N07TR-ETO-252 场效应管(MOSFET) 深圳市禾锐科技有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 全新原装ST/意法VND5N07TR-EN沟道MOSFET场效应管封装TO-252-3 深圳市芯钰同电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 ...
VND5N07-1 507Kb/24POMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET VND5N07-1 618Kb/24Pfully autoprotected Power MOSFET VND5N07-E 618Kb/24Pfully autoprotected Power MOSFET More results 类似说明 - VND5N07FI 制造商部件名数据表功能描述 STMicroelectronicsVNB10N07TR-E ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/负载驱动器 商品关键词 VND5N07、 VISHAY 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 批号: 24+ 数量: 8300 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 7.5V 长度:...
The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics®VIPower®M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments....
VND5N07TR-E Datasheet PDF ST Microelectronics Power Switch Lo Side 1Out 5A 0.2Ω Automotive 3Pin(2+Tab) TO-252 T/R VND5N07-E Datasheet PDF ST Microelectronics Power Switch Lo Side 1Out 5A 0.2Ω Automotive 3Pin(2+Tab) TO-252 Tube ...
型号 VND5N07TR-E 技术参数 品牌: ST/意法半导体 型号: VND5N07TR-E 封装: DPAK 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Id-连续漏极电流: 5 A Rds On-漏源导通电...
VND5N07-1-E Datasheet PDF ST Microelectronics Power Switch Lo Side 1Out 5A 0.2Ω Automotive 3Pin(3+Tab) IPAK Tube VND5N0713TR Datasheet PDF ST Microelectronics STMICROELECTRONICS VND5N0713TR MOSFET Transistor, N Channel, 5A, 70V, 0.2Ω, 10V, 800mV VND5N07-1 Datasheet PDF ...
部件名VND5N07FM 功能描述OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Download15 Pages Scroll/Zoom 100% 制造商STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 网页http://www.st.com 标志 类似零件编号 - VND5N07FM 制造商部件名数据表功能描述 STMicroelectronicsVND5N07 ...