VND14NV04TR是采用意法半导体VIPower™ M0技术制造的单片器件,旨在替代直流至50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳制可在恶劣环境中保护芯片。 特性 线性电流限制 热关断 短路保护 集成钳制 从输入引脚获取的低电流 通过输入引脚的诊断反馈 ESD保护 直接进入功率MOS的栅极 直
VND10N06TR-E 全新原装VND14NV04TR-EVND14NV0413TR-E 芯片IC 深圳市莱迪微科技有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥3.50 VND14NV04TR-EVND14NV04 TO-252 全自动保护功率MOSFET 现货 深圳市瑞兴泰电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 ...
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VND14NV04TR-E ST Microelectronics (意法半导体) FET驱动器 OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### ...
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商品型号 VND14NV04TR-E 商品编号 C2649436 商品封装 DPAK 包装方式 编带 商品毛重 0.476克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 功率电子开关 类型 高侧开关 通道数 1 输入控制逻辑 高电平有效 属性参数值 输出电流 12A 工作电压 - 导通电阻 35mΩ 工作温度 -40℃~+150℃ 输...
VND14NV04TR-E [更多]STMicroelectronics Power Switch Lo Side 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: VND14NV04TR-E) RoHS: Compliant 搜索 新加坡2号仓库仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货 ...