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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 微碧半导体、 场效应管、 MOS管、 MTD2955VLT4G、 VB、 TO252、 电子元器件 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): -60V 连续漏极电流(Id): -38A 导通电阻: 61mΩ@VGS=10V,VGS=...
型号: MTD3055VLT4G-VB 商品编号: DS39705751 封装规格: TO-252 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,采用Trench工艺,具有高性能和稳定的特性,适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;18A;RDS(ON...
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品牌名称JSMSEMI(杰盛微) 商品型号 MTD3055VLT4G-JSM 商品编号 C18191084 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)20A ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 MTD3055VLT4G-VB 商品编号 C879110 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.51克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)- ...