在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有表...
总结:对于写入过程:app_rdy拉低代表地址被冻结,app_wdf_rdy拉低代表写入数据的大门被封锁,暂时无法写入。 除了用户接口信号以外还需要关注init_calib_complete信号,当DDR3芯片初始化完成后,该信号就会拉高,代表可以进行操作。 但仿真时很多同学遇到init_calib_complete信号无法拉高的情况,甚至有人说DDR3根本无法仿真,只...
第一:大体上按照普通BRAM的思路去读写(按照地址写入数据核读出数据) 第二:地址按照app_rdy走,app_rdy拉高地址正常变化,app_rdy拉低则暂停 第三:写入数据按照app_wdf_rdy走,app_wdf_rdy拉高写入数据正常变化,app_wdf_rdy拉低则写入数据暂停 测试目的:写入32个累加数,等待一段时间后读出,观察读出的数据和写入数...
inout [15:0] ddr3_dq, inout [1:0] ddr3_dqs_n, inout [1:0] ddr3_dqs_p, output [13:0] ddr3_addr, output [2:0] ddr3_ba, output ddr3_ras_n, output ddr3_cas_n, output ddr3_we_n, output ddr3_reset_n, output ddr3_ck_p, output ddr3_ck_n, output ddr3_cke, output...
下面来看下读过程首先state在idle状态当rdburstreq有效时进入memread状态这里同样有两个if判断第一个ifapprdy是用来判断读命令是否有效并且地址累加第二个ifapprddatavalid是读数据有效根据上面的读流程读数据有效并不会随着读命令有效就马上出现一般会延迟多个周期所以同样需要分开判断并且计数 vivado下ddr3的读写和测试...
我在Vivado 2015.3中使用MIG软件构建了DDR3。 用户界面宽512位,突发长度为8。 我写了一些测试代码,写入地址从0到1024,每次递增8(由于突发大小)。 这是由处理命令接口的进程编写的。 它将保持地址ifapp_rdy = 0,否则它将在每个时钟递增地址,直到达到最大值。 无论如何都保持高位,直到发送所有命令。 另一个进程...
转自Vivado中MIG核中DDR的读写控制。 Memory Interface Generator,简称MIG,是Vivado中的DDR控制IP。该IP的总体架构如下图所示。 MIG IP接口总览 其中各信号时序如下所示。 控制信号 需要注意的是,只有当app_rdy有效时,读写命令才会被控制器接收。 控制信号时序 ...
整个DDR的IP核应用,主要都是围绕这以下几个路径进行,开发者直接打交道的是IP_core的userinterface。其他物理底层的内容,由IP自行完成。主要指令路径包括:Command Path、write_Path、read_Path以及维护指令(Maintenance Commands)。 Command Path 顾名思义,就是读写操作指令写入的路径。当app_rdy与app_en都有效的时候...
12、_ddr模块在mig核的应用接口上做了一层封装:一是时钟分离, phy_ddr模块中的界步时钟fifo实现了将用八工作吋钟与ddr3工作时蚀分隔开;二是简化 接口,并支持批虽的数据访存。(mig核访存位宽为512bits,其它位宽的需求可参照修改)。migd d r 3内部逻辑d d r 3应用接口glk_ddrclk_cldi:'app_rdy:app_en...
input app_wdf_rdy, input init_calib_complete, output reg write_done ); assign app_wdf_mask = {MEM_DATA_BITS/8{1'b0}}; localparam IDLE =3'd0; localparam MEM_READ =3'd1; localparam MEM_READ_WAIT =3'd2; localparam MEM_WRITE =3'd3; ...