在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有表...
但后面这两个信号才是重头戏,就是因为这两个信号导致DDR和RAM的不一样! app_rdy(output):这个信号指示了UI接口是否接收指令。也就是说:当该信号拉低时app_addr app_cmd app_en 这三个信号都不被接收,且需要一直保持当前状态,直到app_rdy信号恢复正常(如下图所示) app_wdf_rdy(output):这个信号指示了UI接口...
inout [15:0] ddr3_dq, inout [1:0] ddr3_dqs_n, inout [1:0] ddr3_dqs_p, output [13:0] ddr3_addr, output [2:0] ddr3_ba, output ddr3_ras_n, output ddr3_cas_n, output ddr3_we_n, output ddr3_reset_n, output ddr3_ck_p, output ddr3_ck_n, output ddr3_cke, output...
如下图所示,与DDR3的实际物理端口,不仅有output,还有inout。但是在仿真中,因为没有实际电路,我们并无法接收到来自DDR3的信号。因此需要用软件模拟出一个DDR的真实运行情况,这就是DDR3仿真模型 打开之前生成的IP Example项目,找到ddr3_model_parameter.vh核ddr3_model.v 添加到工程之中。注意:如果不添加仿真模型,...
这里我们只讲解ddr_top中的三个子模块。 1、mem_test 模块:就是利用状态机生成读写请求、读写数据长度、读写起始地址的信号,并发送到mem_burst模块。 modulemem_test #( parameter MEM_DATA_BITS =256,//8突发,8*32=256parameter ADDR_BITS =29) ...
91.else if(app_wdf_rdy) 92.app_wdf_wren_r <= wr_burst_data_req; 93.end 94. 95.always@(posedge mem_clk or posedge rst) 96.begin 97.if(rst) 98.begin 99.state <= IDLE; 100.app_cmd_r <= 3'b000; 101.app_addr_r <= 0; 102.app_en_r <= 1'b0; 103.rd_addr_cnt <= ...
Memory Interface Generator,简称MIG,是Vivado中的DDR控制IP。该IP的总体架构如下图所示。 MIG IP接口总览 其中各信号时序如下所示。 控制信号 需要注意的是,只有当app_rdy有效时,读写命令才会被控制器接收。 控制信号时序 写操作时序 由图可知,在向DDR写数据时,需要提供写命令app_cmd、地址app_addr、数据app_wdf...
我担心2时钟规则,因为我可以执行带有地址的写命令,但是在将该地址的数据写入写入FIFO之前,app_wdf_rdy可能会超过2个时钟。 我假设addr是DDR中需要的地址,每次都要增加8,因为我们正在进行8次突发。 在开始之前,我的两个进程都会等到校准完成。 我并不总是得到不正确的数据。 我跑了4次测试成功后退,但在5日失败...
MEM_ADDR_ORDER = "ROW_COLUMN_BANK"; Wr: Rd: 仔细的话,可以观察clk与app_rdy之间的关系,不难发现为什么两者的读写效率会相差这么大。不同的地址排列,在每次读写过程中,IP的效率有很大的关系,这个与DDR的实现机制有关。详细情况在PG150里有相关说明。
migd d r 3内部逻辑d d r 3应用接口glk_ddrclk_cldi:'app_rdy:app_en.app_cmd2:01app addr31:01app_rd_data_val id - appd_data511:0. appd data cnd »fifo_cmdusr clk:pe enpe cmdwpe ad 13、dr31:0.pe size“ pe rdy recvfifo_rdfr pe wdfldata"pe wdcvalidpcdy pc_rd_data_...