在电源设计中,MOS管作为开关元件,其导通和截止状态的控制需要通过栅源电压VGS和漏源电压VDS来实现。VGS是栅极与源极之间的电压,决定了MOS管的导通和截止状态;VDS是漏极与源极之间的电压,决定了MOS管导通时的电流大小和方向。 当VGS大于一定的阈值电压时,MOS管开始导通,形成导电通道,使得电流可以在漏极和源极之间...
综上所述,Vgs和Vds在MOSFET中起着至关重要的作用,它们之间的关系决定了MOSFET的导通与截止状态以及工作区域。在设计和应用MOSFET时,需要深入理解这些关系并充分考虑各种因素以实现最佳的性能和效果。
在MOS管中,VGS和VDS是两个重要的电压参数。 VGS,即栅源电压(Gate-Source Voltage),是指栅极与源极之间的电压。这个电压可以改变沟道的导电性质,从而调节微小的电流。当VGS短路时,表示栅源之间的电压为0V,此时栅极与源极相连,输入信号无法对MOS管的栅极产生控制作用,导致MOS管失去场效应管的特性,无...
栅压vgs和vds的关系 栅压Vgs是场效应管的控制电压,它决定了场效应管的导通或截止。当Vgs小于场效应管的阈值电压时,场效应管处于截止状态,没有漏电流,Vds=0;当Vgs大于或等于场效应管的阈值电压时,场效应管处于导通状态,有漏电流流过,此时Vds越大,漏电流就越大,但是场效应管的漏电流是通过Vgs来控制的。 当...
这上面的过程描述的有些简单粗暴,如果要考虑“Rdson和Vgs的关系”,这还不够,需要把上述过程做进一步细化。 Vds比较小的时候 当外部施加的Vds还比较小时,比如处于mV级别,此时的Vds电压会在沟道内产生电流id。该电流由沟道内的自由电子构成,id的大小就取决于沟道内自由电子的密度,而此时,电子密度是取决于Vgs的大小。
G极为低电平时场效应管的D极和S极是不导通的,电源电压通过负载把电源电压加在D极上G极为高电平时场效应管的D极和S极是导通的,电源电压加到负载上,这时D极上的电压很低绝大部分电源电压都加到负载上所以:MOS管VDS和输入脉冲VGS波形是相反的 00分享举报...
Vds(漏源电压/Drain-Source Voltage)是漏极和源极之间的电压差,影响电流流动状态和量。不同Vds值下,MOSFET可能工作在欧姆区(线性区)、饱和区(或活动区)等。Vth(门槛电压/Threshold Voltage)是使MOSFET从截止区转换到导通区所需的最小Vgs值。增强型MOSFET在Vgs大于Vth时开始导电;耗尽型MOSFET...
就N沟道型的场效应管来说明,S极是输入和输出的公共端 G极为低电平时场效应管的D极和S极是不导通的,电源电压通过负载把电源电压加在D极上 G极为高电平时场效应管的D极和S极是导通的,电源电压加到负载上,这时D极上的电压很低绝大部分电源电压都加到负载上 所以:MOS管VDS和输入脉冲VGS波形...
Vgs就是栅极对源极的电压,如果源极直接接地,栅极电压就等于Vgs。
在线性区,ids随着vds增加而增加,近似线性关系。当vds超过vgs-vth,即沟道夹断后,电流不随vds增加而...