微盟MEM2306SG SOP-8 MOS晶体管(Double N VDS:20V VGS:12V ID:6A) MEM2306SG 68000 MICRONE/微盟 SOP-8 ￥0.1560元100~999 个 ￥0.1460元1000~2999 个 ￥0.1280元>=3000 个 深圳市佳联盛芯科技有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 STB200NF03 30V 120A单N沟道 TO-263 MOS管 ST意法...
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电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近 好副本不敌2018-11-30 11:34:24 20V转5V,20V转3.3V,20V转3V的降压芯片和LDO芯片 ...
最大电压是正负20V。IRFP2907PBF参数:75V,4.5mO,177A,330W 制造商:International Rectifier 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:75 V Vgs-栅源极击穿电压 :20 V Id-连续漏极电流:209 A Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms 配置:Single Qg-栅极...
是的，这是器件能承受的最高电压了，一旦超出就可能造成不可逆的损坏。好好学习天天向上
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N-Channel 1.8 Vgs 20V PowerTrench MOSFET说明书 ©2001 Semiconductor Components Industries, LLC.September-2017, Rev 3 Publication Order Number:FDN327N/D FDN327N N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench General Description This 20V N-Channel Semiconductor ’s high has been optimized for ...
耐压：150V 电流：3.0A VGS：±20V 内阻：325mΩ 产品规格书：SYKJ3N150规格书使用建议：1.SYKJ3N150标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要...
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