(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds表示漏源电压,Vtp表示阈值电压,漏极电流用Ids表示,用kp表示μ*Cox*W/L) 相关知识点: 试题来源: 解析 545 结果一 题目 PMOS也就会了,饱和区、线性区的电压条件。还有PMOS处于线性区、饱和区、速度饱和区时对应的计算漏极电流的公式是什么?(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds...
1）因为没有电流流过Rg，所以 G 极的电压=0V，Vgs 就等于电阻Rs的电压降，只是极性是相反的；则 Vgs = - Rs*ID = -390*5/1000 = - 1.95（V）；2）VD = Vdd - RD*ID = ??；
饱和区电流公式 曲线外推法 取晶体管处于饱和区时较大的VDS值,如15V, 使晶体管处于饱和区,做Sqrt(ID)-VGS的曲线,反向延长该曲线,其与X轴的交点即为阈值电压。 迁移率的提取方法:根据线性区源漏电流的表达式,取VDS为较小的值,如0.1V时,做ID-(VGS-Vth)的曲线,求该曲线的斜率,即可求出迁移率μn的值。
Rds(on) = k / (Vgs - Vth) 其中,k为器件参数,Vth为阈值电压。 从这个公式可以看出,当Vgs较小时,Rds(on)较大;随着Vgs的增大,Rds(on)逐渐减小。这是因为随着Vgs的增大,NMOS管进入饱和区,使得漏极-源极之间的电阻减小,导通电流增大。 3. 公式解读与应用 通过Rds(on)随Vgs变化的公式,我们可以深入理解NMOS...
应用GB/T19779计算球罐油量时,其毛标准体积(Vgs)应按()公式计算。A.(Vto-Vfw)×CTShB.mg×CSWC.{〔(Vto-Vfw)×CTSh〕×VCF}D.Vgo×VCF的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为
饱和区和线性区的公式好像写的有问题。饱和区时候VDS>Vgs-Vth 平平无奇打工人:模拟IC设计和仿真分享(1)-MOS管基础 发布于 2023-07-03 09:02・IP 属地上海 赞同 分享收藏 写下你的评论... 还没有评论,发表第一个评论吧登录知乎,您可以享受以下权益: 更懂你的优质内容 更专业的大咖答主...
应用GB/T19779计算油量时,下列公式中()是计算净表观质量的。A.mg×CSWB.mg-mnC.(Vgs×WCF-mfr)×CSWD.mg×WCF搜索 题目 应用GB/T19779计算油量时,下列公式中()是计算净表观质量的。 A.mg×CSWB.mg-mnC.(Vgs×WCF-mfr)×CSWD.mg×WCF 答案 A 解析...
根据GB/T19779计算油量时,下列公式中()是计算净标准体积的。A.mg×CSWB.Vgs×CSWC.(Vto-Vfw)×CTShD.(Vc-Vfw)×CTSh-Vf
搜索智能精选 题目 请问用费马原理如何推导傍轴条件下反射球面镜的物像距成像公式:(物距倒数)+(像距倒数)=-2×(曲率半径的倒数) 答案 简单思路:求出每条过物和空间任意一点,并经过镜面反射的光线的光程,求其极值,可以得到实际反射光线.若将物放置于轴线上,即可求出像距,从而验证上述关系. ...