Vgs电压过高往往意味着栅极与源极之间的电压超出了MOSFET能够承受的最大阈值。在正常情况下，MOSFET的栅极电压应该控制在特定的范围内，否则栅极电流会迅速增大，造成半导体材料的击穿；甚至导致元件永久性损坏。一个典型的例子是；某些MOSFET的最大Vgs电压可能只有10V，但若电压超过此值，它就会发生热击穿，最终导致电路无法正
基本而言、Vgs 电压为5.5V 或11V。 这也在的第5.2.2节"高侧 NFET 驱动器"中进行了解释。技术参考手册 注:每当电荷泵运行(在5.5V 或11V 模式下)时、都应降低 VBAT 上的最大电压、以确保 CP1、CHG 和 DSG 上的电压不超过其最大指定电压。