常遇到MOS管Vgs电压过大会损坏管子,但是从原理上看,似乎不然呀 当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值 时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反
1)MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升,到达维持电压Vth,MOSFET 开始导电, 2)MOSFET 的DS 电流增加,Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电,对GS 电容的充电影响不大; Qg=Cgs*Vgs, 但是电荷会持续积累。 3)MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压,Millier 电容大大增加,外部驱动电压对Millier 电...
击穿氧化层，管子烧掉报废！
gm=W*Cox*vsat强反型区与速度饱和区过渡电压Δvs =2nVsat/μ≈5L,随L增大而增大。5. 弱反型和强反型统一模型Ids=1/2n k(2nVT)^2 [ln(1+e^m)]^2电压归一化因子m=Δ/2nVTm很小时,ln(1+e^m)≈e^m,Ids=1/2n k(2nVT)^2*exp[(Vgs-Vth)/nVT];m很大时,ln(1+e^m)≈m,Ids=1/2n Δ...
亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成___关系。A.指数B.平方C.线性D.无的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
【E问E答】场效应管mos管vgs电压过大有什么后果? 常遇到MOS管Vgs电压过大会损坏管子,但是从原理上看,似乎不 然呀? 当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟 道出现,vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数 值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层...