2. 一块FET的栅极与源极之间的电压Vgs为3 V,若其输入阻抗为1 MΩ,计算在栅极施加1 V变化时引起的感应电流。 3. 在一个电路中,MOSFET的Vgs为5 V,若栅极电容为20 pF,求在栅极电压变化10 V时产生的感应电压。 4. 一种场效应管的Vgs为2.5 V,若栅源电流为1 mA,计算当栅极电压增加至3.5 V时的感应电流变化。 5. 在一个
2)ＶTH(开启电压)＝0.6-0.8Ｖ．这个参数表示什么意思呢？３）如果一个３１５ＭＨＺ的调制信号通过...
百度试题 结果1 题目已知MOS晶体管的漏极电流I_D为2mA,亚阈值斜率S为50μA/V^2,计算当栅极电压Vgs从0V增加到5V时,漏极电流I_D的变化量。相关知识点: 试题来源: 解析 ΔI_D = μnC_ox(W/L) S ΔVgs 反馈 收藏
(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds表示漏源电压,Vtp表示阈值电压,漏极电流用Ids表示,用kp表示μ*Cox*W/L) 相关知识点: 试题来源: 解析 545 结果一 题目 PMOS也就会了,饱和区、线性区的电压条件。还有PMOS处于线性区、饱和区、速度饱和区时对应的计算漏极电流的公式是什么?(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds...
已知mos的五个参数..已知mos的五个参数如何计算和VGS,电源电压和电阻如何计算电流?这5个参数对场管都是什么意思?
根据以下NMOS晶体管模型代码,如果宽长比W/L=10,栅源电压VGS=2V,可以计算得到漏源电流约为 .MODEL n08 NMOS VTO = 0.70 KP = 110U GAMMA = 0.4 LAMBDA = 0.04 + PHI = 0.7 MJ = 0.5 MJSW = 0.38 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO = 220P + CJ = 770U CJSW = 380P ..
百度试题 结果1 题目已知MOS晶体管的阈值电压Vth为1V,亚阈值斜率S为100μA/V^2,计算当栅极电压Vgs为2V时的漏极电流I_D。相关知识点: 试题来源: 解析 I_D = μnC_ox(W/L)(Vgs Vth)^2 反馈 收藏
(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds表示漏源电压,Vtp表示阈值电压,漏极电流用Ids表示,用kp表示μ*Cox*W/L) 相关知识点: 试题来源: 解析 545 结果一 题目 PMOS也就会了,饱和区、线性区的电压条件。还有PMOS处于线性区、饱和区、速度饱和区时对应的计算漏极电流的公式是什么?(公式中请用Vgs表示栅源电压,用Vds...
已知MOS晶体管的阈值电压Vth为1V,亚阈值斜率S为100μA/V^2,计算当栅极电压Vgs为2V时的漏极电流I_D。 答案 解析 null 本题来源 题目:已知MOS晶体管的阈值电压Vth为1V,亚阈值斜率S为100μA/V^2,计算当栅极电压Vgs为2V时的漏极电流I_D。 来源: mos练习题 收藏...