有范围的，我做过600V的mos管，VGS范围在±30，具体你去看看低压mos的PDF文档
新产品的设计更好的贴近了工程师习惯,新产品把VGS电压范围放宽。在0V电压可以关断VGS,就不会到负电压。不会像GaN要做一个负电压,造成整个电路的负担,在设计也造成一些压力。
百度试题 结果1 题目20.(单选题)Vgs在可用的电压范围内,Vgs越大,MOSFET的漏源的导通电阻的变化是()A变大B变小 C 不变 相关知识点: 试题来源: 解析 在Vgs可用电压范围内,Vgs越大,MOSFET漏源导通电阻的变化是。变小。 反馈 收藏
因此、我使用 CSD25402Q3A 作为 BATFET。 但在设计中、VSYS 为12V 标称值(10V-15V 范围)、该 FET 的 VGS 范围为+/-12V。 BATFET 引脚的说明提到在理想二极管模式下其电压低于 VSYS 10V、但数据表中没有此信息、因此我想确认使用该 FET 是否安全。 您好、Elder、 您可以参考数据表电气...
在下图所示的CMOS传输门中,VTP、VTN的开启电压VGS(th)=|VGS(th)P|=5V,设输入电压Vi在2～12V的范围内变化,试求输出电压Vo的变化范围。查看答案网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目: AI搜题 NEW 搜题 更多“在下图所示的CMOS传输门中,VTP、VTN的开启电压VGS(th)=|VGS(th)P|=5V,设输入电压Vi...