运用第一性原理研究了MAPbI2Cl/RbPbI3, MAPbI2Cl/RbSnI3和MAPbI3/RbSnI2Cl异质结构(MA=CH3NH3)的电子和光学性能.结果表明MAPbI3/RbSnI2Cl和MAPbI2Cl/RbSnI3结构具有半导体特性,其带隙分别为0.19和0.97 eV.通过有效质量计算表明,MAPbI2Cl/RbSnI3和MAPbI3/RbSnI2Cl可应用于光伏元件.此外,能态密度图显示...