Vgs比Vth低400mV左右，管子处于亚阈值（sub-threshold），沟道并未完全阻断，有一定的导通能力，当然也会...
Vgs低于Vth约400mV时，LDMOS器件处于亚阈值状态，此时沟道并未完全阻断，具备一定程度的导电能力，随之而来的是饱和电压Vdsat。若将Vgs降低至0或-0.5V，观察现象变化。值得注意的是，LDMOS器件的饱和特性呈现出有趣的现象。与低压CMOS不同，虽然二者皆因载流子速度饱和表现出饱和电流Ids与对应的Vdsat，但CMOS...
Vgs比Vth低400mV左右，管子处于亚阈值（sub-threshold），沟道并未完全阻断，有一定的导通能力，当然也会...
这个建模中region、vdsat对LDMOS来说确实不是很准，尤其是在阈值电压附近。因为他本质上是基于电压的分段...
square law model那一套早就被扔进垃圾桶了，只不过在deep saturation的时候误差还能接受加上对手算比较...