可以从图中看出:正向电流都为5e-7A的时候,本发明设计的超结VDMOS体二极管的正向压降为0.51V,而传统的线性原胞设计的超结VDMOS体二极管正向压降为0.61V,即正向电流相同的情况下本发明设计的超结VDMOS体二极管正向导通压降更低。
本发明涉及一种VDMOS器件版图结构以及制作方法,包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的P+区域,所述P+区域呈网络结构且全部相互连接。本发明P+区域为全部连接的网络结构的区域,不存在孤立的P+区域,从而使得该版图结构中,所有P+二极管结构单元存在于一个全部连通的网络结构中。当有器件承受反向能量时,没有孤...
所述间距的区域内势垒金属Ti在ppillar之间的N外延层形成肖特基接触,构成肖特基二极管;还公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构的制作方法,通过本发明比传统的线性原胞设计的超结VDMOS体二极管正向压降更低,从而降低器件的开通损耗;本发明设计的超结VDMOS体二极管反向恢复电流峰值更小,使得体二极管的di/dt...
集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构及其制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构及其制作方法说明:本发明公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构,该版图结构包括N+衬底、N外延...专利查询请上爱企查
虽然你是11年问的了。。估计你也知道了。。N+是重掺杂，N-是少掺杂
摘要 本实用新型公开了一种减小开关时间的VDMOS器件版图结构,包括器件元胞,所述器件元胞包括由下至上依次分布的衬底层和外延层,在外延层中分布有有源区和漂移区,在外延层的上部分布有场氧层和栅氧层,在场氧层和栅氧层的上部分布有多晶硅层,在多晶硅层上方分布有第一钝化层,在有源区多晶硅窗口中部和第一钝化层...
(51)Int.CI 权利要求说明书 说明书 幅图 (54)发明名称 一种增加 VDMOS 沟道密度的布图结构和布图方法 (57)摘要 本发明实施例涉及一种增加 VDMOS 沟道密 度的布图结构和布图方法,所述结构包括沿第一方 向和第二方向重复排列的多个元胞:每个元胞包 括第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和接触 孔;每个...
本发明公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构,该版图结构包括N+衬底、N外延层以及在N外延层上形成的P+区域,所述P+区域由若干个矩形p‑pillar构成并且相邻两个矩形p‑pillar之间设置有间距,所述间距的区域内势垒金属Ti在p‑pillar之间的N外延层形成肖特基接触,构成肖特基二极管;还公开了一种集成肖...
摘要 本发明提供一种沟槽型VDMOS的元胞版图结构,包括至少一个元胞,所述元胞包括:若干个并联设置的源区;沟槽,环绕每个所述源区设置,所述沟槽用于形成栅极结构,所述沟槽的边界和所述源区的边界重合,以限定所述元胞的沟道;其中,所述源区的边界上设置有向所述沟槽方向延伸的凸出结构,以增加每个所述元胞的沟道的...