DIN VDE V 0884-11:2017的标准全文信息,半导体器件. 第11部分: 基本和增强隔离用磁力和电容耦合器, Semiconductor devices - Part 11: Magnetic and capacitive coupler for basic and reinforced isolatio
DIN VDE V 0884-11:2017的引用关系信息,半导体器件. 第11部分: 基本和增强隔离用磁力和电容耦合器, Semiconductor devices - Part 11: Magnetic and capacitive coupler for basic and reinforced isolatio
VDE V 0884-11-2017 下载积分: 1000 内容提示: 文档格式:PDF | 页数:45 | 浏览次数:905 | 上传日期:2018-09-11 18:56:36 | 文档星级: 阅读了该文档的用户还阅读了这些文档 20 p. ASSE 1030-2013 Performance Requirements for Positive Pressure Reduction Devices for Sanitary Drainag 17 p. GMW...
对于基本隔离,DIN VDE V 0884-11的要求不太严格,允许的故障率小于1000 ppm。仍需要20%的工作电压裕度,但基本绝缘器件的使用寿命裕度降低到30%,这是指在工作电压比额定值高20%的情况下,总要求使用寿命为26年。DIN V VDE V 0884-10先前没有定义最小额定寿命和整个寿命内的故障率。 尽管部分放电测试标准在DIN ...
对于基本隔离,DIN VDE V 0884-11的要求不太严格,允许的故障率小于1000 ppm。仍需要20%的工作电压裕度,但基本绝缘器件的使用寿命裕度降低到30%,这是指在工作电压比额定值高20%的情况下,总要求使用寿命为26年。DIN V VDE V 0884-10先前没有定义最小额定寿命和整个寿命内的故障率。
对于基本隔离,DIN VDE V 0884-11的要求不太严格,允许的故障率小于1000 ppm。仍需要20%的工作电压裕度,但基本绝缘器件的使用寿命裕度降低到30%,这是指在工作电压比额定值高20%的情况下,总要求使用寿命为26年。DIN V VDE V 0884-10先前没有定义最小额定寿命和整个寿命内的故障率。
目前,DIN VDE V 0884-11需要使用行业标准的时间相关的电介质击穿(TDDB)测试方法来收集隔离器的寿命预测数据。在此测试中,隔离栅每侧的所有管脚都绑在一起,形成了一个双端子器件,并在两侧之间施加了高电压。在室温和最高工作温度下,以60Hz的各类高电压切换来收集绝缘击穿数据。
1、DINVDEV0884-11:2017-01对数字隔离器认证的意义I德州仪器(TI)|LukeTrowbridge截至2020年1月,德国标准化学会(D1N)和德国电I:程师协会(VDE)V0884-I0:2006-12不再是用于评估电磁和电容电隔离产品的固行绝缘特性和高压性能的利效认证标准。这标志石集成电路(IC)制造商三年过渡期的结束。该过渡期始1-2017年...
对于基本隔离,DIN VDE V 0884-11的要求不太严格,允许的故障率小于1000 ppm。仍需要20%的工作电压裕度,但基本绝缘器件的使用寿命裕度降低到30%,这是指在工作电压比额定值高20%的情况下,总要求使用寿命为26年。DIN V VDE V 0884-10先前没有定义额定寿命和整个寿命内的故障率。
对于增强隔离,DIN VDE V 0884-11要求使用故障率小于百万分之一(ppm)的TDDB预测线。即使在指定的工作隔离电压下预期的最小绝缘寿命为二十年,新的增强型认证仍要求工作电压额外增加20%的安全裕度,器件的额定寿命增加87.5%的安全裕度,也就是说,在工作电压比规定值高20%时,最低要求的绝缘寿命为37.5年。 对于基本隔离...