批号 N 数量 250000 FET类型 1 漏源电压(Vdss) 2 漏极电流(Id) 3 漏源导通电阻(RDS On) 4 栅源电压(Vgs) 5 栅极电荷(Qg) 6 反向恢复时间 7 最大耗散功率 8 配置类型 9 安装类型 9 是否跨境货源 否 导电方式 增强型 种类 绝缘栅(MOSFET) 可售卖地 全国 型号 AOD454A 还...
A舱为头等舱免折、常旅客免票; C舱为公务舱公布价, D舱为公务舱免折、常旅客免票; Y舱为普通舱(经济舱)公布价, S舱为联程、缺口程等特殊舱位, B舱为普通舱9折, H舱为普通舱85折, K舱为普通舱80折, L舱为普通舱75折, M舱为普通舱70折, N舱为普通舱65折, Q舱为普通舱60折(含教师、医...
www.vishay.com SiDR402EP Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET PowerPAK® SO-8DC D D D 6 D 7 8 5 S 6.15 mm 1 5.15 mm Top View PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) max. (Ω) at VGS = 10 V RDS(on) max. (Ω) at VGS = 4.5 V Qg typ. (nC) ID (A)...
www.vishay.com SiJH440E Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET PowerPAK® 8 x 8L Single 1 8.1 mm Top View PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) max. () at VGS = 10 V RDS(on) max. () at VGS = 4.5 V Qg typ. (nC) ID (A) a, g Configuration D 1...
型号: DPA-C/8/S/D/N/90/40/40/90/V 封装: 原厂封装 批号: 5633 数量: 4512 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 7.5V 长度: 6.1mm 宽度: 3mm 高度: 2.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商...
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发货地 上海 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 DPA-C/8/S/D/N/90/40/40/90/V、 WOERNER、 原厂封装 商品图片 商品参数 品牌: WOERNER 封装: 原厂封装 批号: 5633 数量: 4512 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 100C...
Alfa-MOS闸能代理AFN2024S N管 20V 9A TO-252-2L ¥ 1.35 捷捷微MOS管JMCL0410AGD N+P -40V -16A 22mΩ PDFN5x6-8L-D ¥ 1.21 JST06H-800SW 捷捷微双向可控硅 6A 800V TO-251 世昌隆代理 ¥ 1.35 JST04K-800SW 捷捷微双向可控硅 4A 800V TO-252 世昌隆代理 ¥ 1....
如图所示的匀强电场的电场强度为103N/C,ab=dc=4 cm,bc=ad=3 cm.则下述计算结果正确的是 A. ab之间的电势差为40 V B. ac之间的电势差为50 V C. 将q=-5×10-3C的点电荷沿矩形路径abcda移动一周,静电力做功是-0.25 J D. 将q=-5×10-3C的点电荷沿abcd或ad从a移动到d,静电力做功都是-0.25 J...
www.vishay.com SPICE Device Model SQ4050EY Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET DESCRIPTION The attached SPICE model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the -55 °C to 125 °C ...