图4. 3bit SAR ADC Vcm-based开关时序的功耗示意图 3 电容分裂技术 图5为电容分裂CDAC架构切换过程。在采样时,可以理解成原先时1个电容接着Vcm,现在分裂成两个,一个复位至 Vref,另一个则复位至 gnd,效果是一样的。在电荷再分配时,依据比较结果将较大端的当前位电容底板为 Vref 电压切换至 gnd,较小端的当...
基于第2节的原理介绍,在MATLAB仿真环境中进行了行为级验证,证明了本方法可以有效地消除ADC中电容之间的失配,图3.1与图3.2为一个16位的SAR ADC经过数字后台校正后的结果,单位电容给3%的失配大小,在无校正的情况下有效位数(ENOB)为12.1位,在校正之后提升至14.8位。在无校正的情况下无杂散动态范围(SFDR)为81dB,在校...
乌龙江北大道2号福州大学(72)发明人 魏榕山 魏聪 林锐 杨臻 何明华 (74)专利代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100代理人 陈明鑫 蔡学俊(51)Int.Cl.H03M 1/46 (2006.01) (54)发明名称基于Vcm的超低功耗SAR ADC开关切换结构及其开关切换方法(57)摘要本发明涉及一种基于Vcm的超低功耗SAR ADC开关切换结构...
1、目前sar adc常见的开关切换技术包括传统开关切换技术、vcm-based切换技术和单调开关切换技术等。传统开关切换技术为先置位,根据比较结果再置位的切换方式,在vref上的能量消耗增加了一个置位的消耗,所以能量消耗极大;vcm-based切换技术没有先置位的操作,在切换过程中,输入共模电平保持不变,能量消耗居中;而单调开关...
本实用新型涉及一种基于Vcm的超低功耗SAR ADC开关切换结构.包括第一电容阵列,第二电容阵列,比较器,2个切换开关组,2个采样开关,第一,第二电容阵列的电容顶板DACP,DACN分别与比较器连接,DACP和DACN还分别经2个采样开关与共模电平Vcm连接,第一,第二电容阵列中电容的底板经第一,第二切换开关组与基准电平Vref,地...
% Vcm-based logic % %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% tic; % 记录开始时间 D_record = zeros(FFTN, Resol); Vp_record = zeros(FFTN, Resol+1); Vn_record = zeros(FFTN, Resol+1); ...
本发明的目的在于提供一种基于Vcm的超低功耗SAR ADC开关切换结构及其开关切换方法,本发明开关切换电路相比于且相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构,可以实现更好的ADC精度,且相比于传统型电容阵列节省了最高位权重电容,并且在节省了最高位权重电容的情况下还能实现比传统型多一位的比较,另外,本发明的开关切换控制方法...
专利摘要:本发明涉及一种基于Vcm的超低功耗SARADC开关切换结构及其开关切换方法。所述电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关,第一、第二电容阵列的电容顶板DACP、DACN分别与比较器连接,DACP和DACN还分别经2个采样开关与共模电平Vcm连接,第一、第二电容阵列中电容的底板经第一、...
本发明的目的在于提供一种基于vcm的超低功耗saradc开关切换结构及其开关切换方法,本发明开关切换电路相比于且相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构,可以实现更好的adc精度,且相比于传统型电容阵列节省了最高位权重电容,并且在节省了最高位权重电容的情况下还能实现比传统型多一位的比较,另外,本发明的开关切换控制方法...
摘要 本发明涉及一种基于Vcm的超低功耗SARADC开关切换结构及其开关切换方法。所述电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关,第一、第二电容阵列的电容顶板DACP、DACN分别与比较器连接,DACP和DACN还分别经2个采样开关与共模电平Vcm连接,第一、第二电容阵列中电容的底板经第一、...