Vcb是指C极和B极的反向耐压，这个和三极管型号有关 Vbc这个是B极和C极的正向压降，0.5~0.7V这个参数很少用到 Vbe就是经常使用的放大偏置压降。0.5~0.7V Vce是指整个三极管的耐压。C极和E极之间的耐压
VBE – 基极对地电压减去发射极对地电压 (VB – VE); VCE – 集电极对地电压减去发射极对地电压 (VC – VE); VBC – 相对于地的基极电压减去相对于地的集电极电压 (VB –VC); VEB – 发射极对地电压减去基极对地电压 (VE – VB); VEC – 发射极对地电压减去集电极对地电压 (VE – VC); VCB –...
另外.发射结正偏,集电结反偏.是指发射结 基极和发射极之间的PN结正偏(一般Vb-Ve=0.7V NPN硅管);基极和集电极之间PN结反偏(一般是Vc > Vb).所以Vce=0.3,Vbe=0.7的情况是可能存在的. 再另外.不用钻这种牛角尖,固然有助于理解,但毫无实际意义.因为你不可能做出一个Vce=0.3 Vbe=0.7V的放大电路,即便是做...
“Vce=Vbe≈0.7V”,是电路的一种特殊工作状态.理论上,一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和,Vce<Vbe的状态则称为过饱和.当然,小功率BJT的饱和电压比大功率BJT的饱和电压要小,如小功率管可以小于0.4V,而大功率管则可以在1.0V以上,因此,以上的界定只是一般概念上的. 结果...
内电场是和集电结电压有关，也就是与Vcb有关，但是，Vcb=Vce-Vbe啊 想想
对于三极管而言,为什么临界饱和状态下Vce=1V,我知道Vcb=0.c,b等电势,而Vbe=0.7V,按照这样说的话,Vce=0.课本没有说明白,对于截止状态Vbe=0.7V这个我明白,我刚开始学模电,感觉有好多东西都是莫名其妙……老师倒是对模电电路处理都讲了,但是做题目的时候看解析好多都是莫名其妙的. 判断题:测得某电路中三极管3C...
1楼2010-03-12 09:17回复 Yzorro 初级粉丝 1 应该是两个向量的和吧,朋友,书里应该是写错了,正解应该是Vce=Vcb+Vbe 2楼2010-03-16 21:39 收起回复 扫二维码下载贴吧客户端 下载贴吧APP看高清直播、视频! 贴吧页面意见反馈 违规贴吧举报反馈通道 贴吧违规信息处理公示2回复贴,共1页 <返回三极管吧发表...
(SAT) VBE(SAT) hFE fT fT fT Ccb Ceb hfe rb'Cc NF NF Gpe Gpe TEST CONDITIONS VCB=15V VCE=20V IC=100µA IC=5.0mA IE=100µA IC=100mA, IB=10mA IC=100mA, IB=10mA VCE=15V, IC=50mA VCE=15V, IC=25mA, f=200MHz VCE=15V, IC=50mA, f=200MHz VCE=15V, IC=100mA, f=...
(IC = −100 mA, VCE = −5.0 V, f = 100 MHz) Input Capacitance (VEB = −0.5 V, f = 1.0 MHz) Output Capacitance (VCB = −3.0 V, f = 1.0 MHz) Turn−on Time (VCC = −10 V, IB1 = −100 mA, IC = −1 A, RL = 3 W) Turn−off Time (VCC = −10 V...
(VCB = 10 V, f = 1.0 MHz) SWITCHING CHARACTERISTICS V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) fT Cibo Cobo Delay (VCC = 30 V, IC = 750 mA, IB1 = 15 mA) Rise (VCC = 30 V, IC = 750 mA, IB1 = 15 mA) Storage (VCC = 30 V, IC = ...