【A科普】PN结篇—..众所周知,一般的书本上Vbi的公式有两个,是由突变结为标准推出,第一个是对内建电场作积分得到内建电势(也作扩散电势),对Vbi定义即源从此处,但是,加上耗尽区宽度的两个公式后我们发现了4个未知数,这阻
(1)内建电势Vbi=?(2)总空间电荷区宽度W=?(3)N型一侧的耗尽区宽度Xn= ?(4)P型一侧的耗尽区宽度x=?(5)冶金结处的最大电场Ema=2VbLmax«A«解:由(1)、(2)两方程得:(3) + (4)得:___qNAW qNDW 相关知识点: 试题来源: 解析 2 s V bi 2 s V bi ...
百度试题 题目硅突变结内建电势Vbi可表为(KTIn2)P9,在室温下的典型值为(0.8)伏特。 相关知识点: 试题来源: 解析 已知某PN结的反向饱和电流为Io =10 1、A,试分别求当外加0.5V正向电压和(-0.5V)反向电压时的PN结扩散电流。
由于内建电势Vbi和V反向,势垒Vbi-V不断减少:向右的多子扩散电流开始增多,向左的多子漂移电流开始减小...
PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(小),内建电场的最大值就越(大),内建电势Vbi就越(大),反向饱和电流I就越(小)[P20],势垒电容CT就越( 大 ),雪崩
多项选择题PN结的内建电势Vbi与()有关。 A.外加电压 B.掺杂浓度 C.材料种类 D.温度 点击查看答案 您可能感兴趣的试卷 你可能感兴趣的试题 1.多项选择题P型区和N型区的交界面称为()。 A.表面 B.冶金结面 C.结面 D.端面 点击查看答案 ...
百度试题 题目PN结的内建电势Vbi与( )有关。相关知识点: 试题来源: 解析 掺杂浓度材料种类温度
突变PN结低掺杂侧的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越___,内建电场的最大值越___,内建电势Vbi就越___,反向饱和电流I0就越___,势垒电容CT就越___,雪崩击穿电压就越___。P27相关知识点: 试题来源: 解析 小 大 大 小 大 小
PN结的内建电势Vbi与()有关。 A.温度 B.掺杂浓度 C.材料种类 D.外加电压 查看答案
PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。