赛升药业(300485)10月27日午间公告，近日，公司与转让方天奇药业、技术服务方安吉生物就“HM-3(...
摘要:产品简介:GTT2604-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道场效应管。该器件具有30V的漏极-源极电压承受能力和6A的漏极电流能力。其导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时为30mΩ。该器件采用SOT23-6封装,适用于低压功率控制和开关应用,具有高性能和小型封装的特点。 产品简介:GTT2604-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道场...
GTT2623-VB 价格参考￥ 0.6762 。 VBsemi(微碧) GTT2623-VB 封装/规格: SOT23-6, 台积电流片,长电封测。P沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、...
GTT2623-VB 交货地: 库存: 数量: X0(单价) 总价: 询价 品牌:VBsemi 型号: 商品编号: 封装规格:SOT23-6 商品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6 商品详情 商品介绍 P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@...
**型号:** GTT3434-VB **品牌:** VBsemi **丝印:** VB7322 **封装:** SOT23-6 **产品简介:** GTT3434-VB是一款N沟道场效应管,适用于低压、低功率的电路设计。其额定工作电压为30V,额定漏极电流为6A。具有低导通电阻(RDS(ON))和低阈值电压(Vth),适合于需要高效能、小尺寸的应用场合。
Ca**u∞上传352KB文件格式pdfmosfet GTT8205S-A-VB一种2个N沟道SOT23-6封装MOS管 (0)踩踩(0) 所需:1积分 Mstar 系列母片制作方法 2024-11-22 23:21:13 积分:1 这是ssl的文件啦啦啦啦啦 2024-11-22 23:10:33 积分:1 创建浪漫的粉红色流星雨场景 ...
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品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号GTT8205S-A-VB 商品编号C5456500 商品封装TSOP-6 包装方式 编带 商品毛重 0.055克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 2个N沟道 属性参数值 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 6A ...
31GTT8205S-A-VB 是一款采用 SOT23-6 封装的双N+N沟道MOSFET。它设计用于需要高电流和低电压的开关和放大电路,具有20V 的漏源电压(VDS)和±20V 的栅源电压(VGS)。通过先进的沟槽(Trench)技术,这款MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(ON)),在2.5V和4.5V的栅极驱动电压下分别为 28mΩ 和 24mΩ,使其在高功率...