5. 高性能电子设备:FDD4243-VB适用于需要高电流、高电压开关的高性能电子设备和工业控制系统。 总之,FDD4243-VB MOSFET适用于需要高功率、高电压、高电流性能的电子应用领域。这种组件有助于提高系统效率、可靠性和电能控制,因此在各种领域的模块和电路中广泛应用,如电源开关、电机驱动、高功率逆变器等。
记笔记 P沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V);TO252 Corporate Dreams 科技 科工机械 vbsemi MOS MOS管 mosfet 微碧半导体-MOS管厂家发消息 每日更新科普知识的MOS管厂家 关注 米塔教育 IRLML2402TRPBF-VB一款SOT23封装N沟道MOS管应用领域讲解 ...
2500+¥ 1.463 5000+¥ 1.4098 批量议价 原厂代理库存:8000 个(一整包装有2500个) 年份:24+ 货期:2-4工作日发货 订货数量: -+ 合计:¥16.56 加入订货单 品牌: VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:FDD5690-VB 产品状态:在售 封装规格:TO252 ...
品牌:VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:FDD8580-VB 产品状态:在售 封装规格:TO252 数据手册: 商品编号:L103745007 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VBsemi(微碧半导体) 封装规格 TO252 包装 整包装 根据勾选的参数属性查找商品。 海量...
FDD4685-VB..型号:FDD4685-VB品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:P沟道- 最大耐压:-40V- 最大持续电流:-65A- 开通电阻(RDS(ON)):10mΩ @ 10Vgs- 阈值电压(Vth):-1
FDD6637-VB 价格参考￥ 2.3328 。 VBsemi(微碧半导体) FDD6637-VB 封装/规格: TO-252-2, 台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于多种领域和模块。TO252;P—Channel沟道,-30V;-60A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=-1~-3V;。你可以下载 FDD6637-VB 中文...
FDD4141-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于多种高功率电路和模块设计,特别是在需要高性能P-Channel MOSFET的应用中。 领域模块应用:1. **电源模块:** 适用于高功率开关电源、电源逆变器等模块设计,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。 2. **电机驱动模块:** 由于其高电流和低漏电压特性,可用于电机驱动...
型号: FDD8424H-VB 参数: - 沟道类型:N+P沟道 - 最大电压:±40V - 最大电流:50A/ -50A - 开通电阻:15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V - 门源电压范围:±20Vgs - 阈值电压:±1Vth - 封装方式:TO252-5 详细参数说明: 1. 沟道类型为N+P沟道,表示该器件拥有N型和P型沟道,可以实现双极性功率开关。
FDD5690-VB是一种采用N沟道TO252封装的MOS管,具有多种特点和优势。以下是对这款MOS管的详细介绍: 1. 型号与参数:FDD5690-VB的型号为VBE1638-VBsemi,这表示其品牌为VBsemi。该型号的MOS管采用TO252封装,这意味着它适用于需要紧凑封装的应用场合。 2. 额定电压与电流:FDD5690-VB的额定电压为60V,额定电流为45A,...
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