VBE1302 10000 VBsemi(微碧) TO-252 23+ ¥1.0300元10~99 个 ¥0.9990元100~999 个 ¥0.6890元>=1000 个 深圳市楷阳电子有限公司 2年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 老板您好,现在商品不多,但我还有办法帮您~点我试试 没有更多相关货源,您可以全网发布 “ vbe1302 ” 询价单,快速获得更多供应商报价...
品牌:VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:VBE1302 产品状态:在售 封装规格:TO252 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103393722 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VBsemi(微碧半导体) 封装规格 TO252 包装 盘 根据勾选的参数属性查找商品。 海量...
功率MOSFET TO252 N-Channel 250W(Tc) 2.5V 2.3mΩ@38.8A,10V 30V 120A(Tc) 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号VBE1302 制造商VBsemi(微碧半导体) 授权代理品牌 唯样编号A-VBE1302 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 VBE1302 商品编号 C480950 商品封装 TO-252-2 包装方式 编带 商品毛重 2.36克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)35.8A ...
品牌名称 VBsemi(微碧半导体) 商品型号 VBE1302 商品编号 C480950 商品封装 TO-252-2 包装方式 编带 商品毛重 2.36克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)35.8A ...
VBE1302.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 TO252 FET类型 N-Channel Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) 栅极电压Vgs 2.5V Rds On(Max)@Id,Vgs 2.3mΩ@38.8A,10V 漏源极...