型号 VB2355 类型 P沟道 漏源电压(Vdss) -30V 连续漏极电流(Id) -5.6A 导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id) -1Vth(V) 工作温度 标准 封装/规格 SOT-23(SOT-23-3) 包装 编带 最小包装量 3000 产品特性 大功率 封装 SOT23 包装方式 编带 可售卖地 全国 芯片...
微碧半导体VBA2412和VB2355的应用亮点 微碧半导体的VBA2412和VB2355系列MOSFET，专为满足车载电信控制模块的严苛要求而设计，其特点包括：卓越的电气性能：VBA2412和VB2355系列采用先进的制造工艺，实现了极低的导通电阻和快速的开关速度，有效降低了能量损耗，提高了整体效率 强化的可靠性：针对汽车环境的特殊需求，该系列...
型号:VB2355 商品编号:DS0141857 封装规格:SOT23-3 商品描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的SingleP系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS...
型号:VB2355 商品编号:DS0141857 封装规格:SOT-23 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V...
VB2355 商品编号 C416212 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.031克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)5.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)46mΩ@10V,4.4A ...
制造商编号VB2355 制造商VBsemi(微碧半导体) 授权代理品牌 唯样编号A-VB2355 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 P沟道,-30V,-5.6A,36mΩ@-10V 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 VB2355.pdf 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
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VB图形和绘图操作 一、坐标: X值:是沿X轴的位置,窗体中最左端是缺省位置0 Y值:是沿Y轴的位置,窗体中最上端是缺省位置0 X,Y的值可以小于0,也可以大于容器宽度或高度 二、坐标值的刻度: 缺省使用缇(Twip)为测量单位. 「Twip」中文译为"缇",是一种和屏幕无关的长度单位,目的是为了让应用程序元素输出到不...