摘要: 在这个"大众创业,万众创新"的利好年代,您是否为小微企业创业而发愁,您是否为其创新而烦恼?本书将为您提供发展战略和执行细节,告诉您如何运作小微企业.由李卫民编著的《小微企业创业实操工具箱》立足于小微企业发展现状,剖析创业发展障碍,探索创业发展对策,是小微企业成功创业的好帮手.关键词:...
目的探讨肾穿刺活检术后疼痛的护理方法,减轻患者的疼痛,促使其身心舒适.方法回顾性分析,总结我院2011年7月至2012年6月24例肾穿刺活检术后患者疼痛的护理经验.结果有效的护理措施可以明显地减轻患者的疼痛,提高了患者对疼痛的耐受性,得到了满意的效果.结论护理人员应加强与患者的沟通,并采用以人的健康为中心的整体护理...
SUD50P06-15-GE3-VB场效应管一款P沟道TO252封装的晶体管Ca**u∞ 上传 SUD50P06-15-GE3-VB场效应管一款P沟道TO252封装的晶体管 点赞(0) 踩踩(0) 反馈 所需:1 积分 电信网络下载 20240304部署包上传 2025-01-28 21:20:08 积分:1 k8s之DashBoard 2025-01-28 18:06:56 积分:1 ...
SQD19P06-60L-GE3-VB一种P沟道TO252封装MOS管 (0)踩踩(0) 所需:1积分 深圳大学 第二学期 计算机组成 期末作业一 2025-02-04 05:25:57 积分:1 12334455667890 2025-02-04 05:17:09 积分:1 2024年3季度员工绩效评估(自评).xlsx 2025-02-04 01:01:19 ...
SQM100P10-19L_GE3-VB 询价 品牌:VBsemi 型号: 商品编号: 封装规格: TO263 商品描述: TO263;P—Channel沟道;-100V;-100A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V; 商品详情 商品介绍 TO263;P—Channel沟道;-100V;-100A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;RDS(ON...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号SQM100N10-10-GE3-VB 商品编号C19711286 商品封装TO-263 包装方式 管装 商品毛重 1.47克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 110A 导通电阻(RDS(on)@...
Using information and communications technology as a pedagogical tool: a survey of initial teacher education in Scotland In common with other parts of the United Kingdom, teacher education in Scotland is facing a period of rapidly changing demands with respect to the use of information and ...
一类含参复合函数奇偶性问题的解法研讨与模型建构 来自 万方 喜欢 0 阅读量: 14 作者:秦文波,黄勇,刘志成 摘要: 通过对一道试题的错解原因的质疑,探讨了复合函数奇偶性问题的正确解法,构建了一类复合函数奇偶性的判定模型,为试题命制和简解提供了理论依据....
8-Port 40GE/100GE Interface Card (QSFP28) CE88-D8CQ for high quality Basic function Provides data packet processing and traffic management on eight 40GE/100GE QSFP28 optical ports. Port split Each QSFP28 optical port can be split into four 25GE ports o...
SQ3456EV-T1-GE3-VB是一种N-Channel沟道的SOT23-6封装MOS管,其额定电压为30V,最大电流容量为6A。该MOS管具有RDS(ON)电阻值,当栅极电压VGS为10V时,RDS(ON)电阻值为30mΩ;当栅极电压VGS为20V时,RDS(ON)电阻值为30mΩ。此外,该MOS管的阈值电压Vth为1.2V。