K3150-VB 晶体管/场效应管(MOSFET)/K3150-VB 对比 库存类型&价格:原厂代理 参考价(含税价) 10+¥ 2.748 2500+¥ 2.3868 5000+¥ 2.3426 批量议价 原厂代理库存:8000 个(一整包装有2500个) 年份:24+ 货期:2-4工作日发货 订货数量: -+
制造商编号 PEH169VB3150QB2 商品别名 A471GD151Q400A 制造商 KEMET(基美) 授权代理品牌 唯样编号 A-PEH169VB3150QB2 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 PEH169, Aluminum, Aluminum Electrolytic, 85C, 150 uF, -10/+30%, 400 VDC, -40/+85C...
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**产品型号**: 3150G-VB **封装类型**: TO252 **产品概述**: 3150G-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有优秀的性能和可靠性。该器件具有低导通电阻和高漏极电流特性,适用于各种低压功率控制和转换应用。 ### 二、详细参数说明 - **封装类型**: TO252 - **配置**: 单N沟道 - **漏源电压 ...
3150-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO-252 封装。具有 60V 的漏源电压(VDS)和±20V 的栅源电压(VGS),阈值电压为 1.7V。其导通电阻(RDS(ON))在栅源电压为 4.5V 时为 85mΩ,在栅源电压为 10V 时为 73mΩ。漏极电流(ID)可达 18A,采用 Trench 技术制造,具有高性能和可靠性。 ### 详细参数说明...
型号 K3150-VB 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 40A 导通电阻 30mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V 封装/规格 TO-252(DPAK) 包装 编带 最小包装量 2500 产品特性 大功率 封装 TO252 包装方式 编带 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 FET类型 增强...
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