规格 VB200N 是否定制 否 是否进口 是 产地 日本 订货号 VB200N 功能用途 钣金折弯等成型操作的理想选择 适用范围 钣金折弯等成型操作的理想选择 长度 207mm 重量 0.48kg 最大口开口(毫米): 30 平行孔径(毫米): 17 品牌 LOBSTER虾牌 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能...
VBsemi 200N06-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,具有200V的漏极-源极电压(VDS)和20V的最大门极-源极电压(VGS)。采用槽道(Trench)技术,具有低导通电阻和高可靠性,适用于中功率电子应用。 ### 详细参数说明:- **封装:** DFN8(5X6)- **器件类型:** 单N沟道MOSFET- **漏极-源极电压...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 200N03-VB 商品编号 C22389816 商品封装 SOP-8 包装方式 编带 商品毛重 0.235克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 参数完善中 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1圆盘 1+￥1.27 10+￥1.24 ...
AM7200N-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装,具有优异的电气性能和高可靠性。它的额定漏源电压为200V,栅源电压为±20V,开启阈值电压为3V,具有出色的导通电阻和较高的电流处理能力,非常适合在各种电子和电力应用中使用。 ### 二、详细参数说明 - **型号:** AM7200N-VB - **封装:** DFN...
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IXTH200N10T-VB 数量 国内价格 10+ ￥12.67070 交货地: 1国内(含增税) 交期(工作日): 4-5工作日 库存: 1 450000(10起订) 数量: X12.6707(单价) 总价: ￥ 126.707 加入购物车立即购买 品牌:VBsemi 型号: IXTH200N10T-VB 商品编号: 封装规格: TO247 商品描述: 台积电流片,长电...
VB循环问题具体要求如下:1. 按钮"第一题":找出100-200之间的所有素数,并对它们求和。2. 按钮"第二题":求S=a+aa+aaa+……+aaaa…a(n个a,a为1-9之间的任意一个数字)的值。例如,当a=2,n=4时,S=2+22+222+2222。a和n由键盘输入。3. 按钮"第三题":一个有100个数组成的数列,它的头三个数为...
BSO200N03S-VB 由VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 BSO200N03S-VB 价格参考￥ 0 。 VBsemi BSO200N03S-VB 封装/规格: SOP-8, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):<SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>8m</SPAN>Ω@10V。你可以下载 BSO200N03S-VB 中文资料、引脚图、Dat...
BUK445-200B-VB是一款高耐压N沟道MOSFET,封装为TO220。这款MOSFET专为承受高达200V的漏源电压设计,适用于高电压和高功率的开关应用。它采用Trench技术,具有较低的导通电阻和稳定的电流处理能力,使其在各种功率管理和开关控制应用中表现出色。其较高的阈值电压和较宽的栅源电压范围确保了在不同工作条件下的可靠性和...
BUK444-200A-VB 是一款高电压单级N沟道MOSFET,由Nexperia公司提供。该MOSFET设计用于承受高达200V的漏源电压(VDS),并支持±20V的栅源电压(VGS)。它采用TO220F封装,适合需要良好散热能力的应用环境。凭借其采用的沟槽技术,BUK444-200A-VB 提供了适中的导通电阻和稳定的性能,广泛应用于中高电压电源开关和功率管理系...