本文依据VASPKIT的EXAMPLE,简单介绍使用AIMD方法和VASPKIT软件计算含温力学性能。 材料选择为面心立方结构的Al为模型,空间群为 Fm-3m。 注意计算力学相关性质需要使用晶体学晶胞,而非原胞。 在计算AIMD时首先进行扩胞,这里使用2×2×2的超胞结构进行下一步计算。 手动生成VASPKIT计算所需要的设置文件http://INPUT.in...
「VASP-AIMD纯计算」AEM：揭开二维半导体电催化的伪惰性基面 成果简介 大多数2D半导体的基面在电催化反应中呈现惰性，因为其表面的轨道被完全占据。山东大学马衍东、戴瑛、德累斯顿工业大学Thomas Heine等人以单层CrX（X=P，As，Sb）和Cr2PY（Y=As，Sd）为例，并通过第一性原理计算发现即使在表面轨道完全占据的情况下...
山东大学马衍东、戴瑛、德累斯顿工业大学Thomas Heine等人以单层CrX(X=P,As,Sb)和Cr2PY(Y=As,Sd)为例,并通过第一性原理计算发现即使在表面轨道完全占据的情况下,基面对氮氧化物还原反应(NORR)也具有显著的催化活性。 计算方法 本文中的所有自旋极化密度泛函理论(DFT)计算都是使用维也纳从头算模拟软件包(VASP)进行...
结论与展望 这种伪惰性特征背后的潜在物理机制可以归因于反向激活机制:与传统预期相反,吸附的NO分子首先反向触发惰性基面的活性,然后基面激活NO分子,形成了“反向激活-转移-捐赠-回赠”过程。这种伪惰性特性可以表现出许多独特的性质,例如,它可以引入一种新型的表面催化,并选择性地靶向具有固有偶极矩的自由基(如NO)。该...
山东大学马衍东、戴瑛、德累斯顿工业大学Thomas Heine等人以单层CrX(X=P,As,Sb)和Cr2PY(Y=As,Sd)为例,并通过第一性原理计算发现即使在表面轨道完全占据的情况下,基面对氮氧化物还原反应(NORR)也具有显著的催化活性。 计算方法 本文中的所有自旋极化密度泛函理论(DFT)计算都是使用维也纳从头算模拟软件包(VASP)进行...
vasp跑AIMD中..VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)是一种广泛用于计算材料电子结构和物理性质的软件包。在AIMD(原子间势动力学模拟)中,范德华力是考虑分子之间相互作用的
AIMD模拟一般都是显式水，直接根据盒子大小加入一定数量的水分子即可。但是你这个是没加水就144个原子？
按我不多的AIMD经验来看，体系大一点更稳定，我单胞跑5ps很容易结构跑乱，但是2x2超胞就不会 ...
请教各位大神，我用VASP在高温高压（3000K，50GPa）下做AIMD模拟（NVT）熔体结构达到平衡之后，我从平衡...
VASP计算AIMD需要重新编译嘛？还是直接在INCAR里改参数就可以呀？跪求大佬 发自小木虫Android客户端 ...