计算aimd,我用的是encut等于500eV, ediff等于1*10-5, ediffg等于-0.01, 这个设置过于精确啦 2024-01-29· 山东 回复喜欢 点击查看全部评论 推荐阅读 vasp的分子动力学模拟 文章来源:“分子动力学”公众号 链接: vasp的分子动力学模拟vasp做分子动力学的好处,由于vasp是近些年开发的比较成熟的软件,在做电...
bash+vasp+vaspkit能量应变计算弹性常数 vaspkit计算弹性常数的对称性指定 vaspkit计算弹性常数脚本补充 本文依据VASPKIT的EXAMPLE,简单介绍使用AIMD方法和VASPKIT软件计算含温力学性能。 材料选择为面心立方结构的Al为模型,空间群为 Fm-3m。 注意计算力学相关性质需要使用晶体学晶胞,而非原胞。 在计算AIMD时首先进行扩胞,...
本文中的所有自旋极化密度泛函理论（DFT）计算都是使用维也纳从头算模拟软件包（VASP）进行的，并且平面波基组的截断能为500 eV。作者将能量和力的收敛标准分别设置为10−5 eV和0.01 eVÅ−1，并通过3×3×1的Monkhorst–Pack k点网格对倒易空间进行采样。作者采用DFT+U方法来处理Cr原子的3d 电子强相关性，...
***NPT 模版#AIMDNSW = 1000000 (Max ionic steps)POTIM =2 #一步多少fsIBRION = 0 #开启AIMDSMASS = 2 #默认开启NPTMDALGO = 3 #默认开启NPTISIF = 3 #最好打开 数据输出全面PMASS = 100 #一直默认LANGEVIN_GAMMA_L = 100 #一直默认LANGEVIN_GA, 视频播放量 6601、
大多数2D半导体的基面在电催化反应中呈现惰性,因为其表面的轨道被完全占据。山东大学马衍东、戴瑛、德累斯顿工业大学Thomas Heine等人以单层CrX(X=P,As,Sb)和Cr2PY(Y=As,Sd)为例,并通过第一性原理计算发现即使在表面轨道完全占据的情况下,基面对氮氧化物还原反应(NORR)也具有显著的催化活性。
这种伪惰性特征背后的潜在物理机制可以归因于反向激活机制:与传统预期相反,吸附的NO分子首先反向触发惰性基面的活性,然后基面激活NO分子,形成了“反向激活-转移-捐赠-回赠”过程。这种伪惰性特性可以表现出许多独特的性质,例如,它可以引入一种新型的表面催化,并选择性地靶向具有固有偶极矩的自由基(如NO)。该工作中的现...
vasp进行aimd模拟时,需要将体系原子的初始速度追加到POSCAR后面,具体格式可以参考CONTCAR。在静力学计算过程输出的CONTCAR文件中,原子坐标后面追加的数字0.000…就是每个原子所对应的速度。AIMD计算时,INCAR的关键设置参数包括:IBRION=0(AIMD计算时该参数设置为0),POTIM=0.5(时间步长控制参数,单位是fs),NSW=1000(控制弛豫...
vasp跑AIMD中..VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)是一种广泛用于计算材料电子结构和物理性质的软件包。在AIMD(原子间势动力学模拟)中,范德华力是考虑分子之间相互作用的
利用VASP计算AIMD，采用NVT系综，时间步长为0.001fs。在3*3*3 的Li2CO3超晶胞中，用T原取代一个Li...
AIMD模拟一般都是显式水，直接根据盒子大小加入一定数量的水分子即可。但是你这个是没加水就144个原子？