与1. 结构优化(PBE)当中相同 3. 非自洽计算能带(PBE) 新建文件夹3_PBE_band,复制第2步计算得到的POSCAT、POTCAR、CHGCAR,WAVECAR到当前文件夹 修改INCAR,将计算类型改为非自洽计算: # Basic setup: ISTART = 1 (Read existing wavefunction, if there) ICHARG
修改费米能级读取,应该读取静态计算中的费米能级。 电子结构的计算流程 高对称点生成和后期处理使用vaspkit-1.1。 注:该方法主要使用原胞。 PBE能带计算流程 必要的文件 INCAR-scf INCAR-band KPOINTS POTCAR POSCAR #优化后的原胞 run_banddos.sh run_banddos.sh的脚本设置如下: #!/bin/bash #优化后的初始POS...
HSE06计算非常耗时,因此我们分两步进行计算,首先通过PBE计算一次并保存波函数(HSE06计算能带时需要调用这一步的波函数)。然后就是HSE06计算能带。 计算设置 首先需要说明HSE06计算能带的INCAR文件: INCAR文件可以通过调用VASPKIT程序来生成:vaspkit->1->101->H6)。有几个参数需要注意:需要设置ICHARG = 11,读取自洽...
结构优化的步骤在这里就不再论述了，有疑问可以去翻看我们之前的教程。HSE06计算非常耗时，因此我们分两步进行计算，首先通过PBE计算一次并保存波函数（HSE06计算能带时需要调用这一步的波函数）。然后就是HSE06计算能带。计算设置 首先需要说明HSE06计算能带的INCAR文件：INCAR文件可以通过调用VASPKIT程序来生成：vaspkit-...
非自洽计算能带（PBE）在3_PBE_band文件夹中，复制2_PBE_scf计算结果的POSCAR、POTCAR、CHGCAR、WAVECAR文件到当前文件夹。修改INCAR文件以执行非自洽计算，并使用vaspkit命令301/302/303生成KPATH.in文件，复制其内容到KPOINTS文件中。执行vasp计算直至完成，使用vaspkit命令211生成BAND.dat文件，通过origin...
PBE泛函计算能带结构通常会低估带隙值,这主要是由于交换关联能的不连续,导致计算出的带隙会被低估。而使混合使用HartreeFock和DFT交换条件的杂化泛函(HSE06)被认为是解决能带问题的实用方法。 因为HSE06在纯泛函的交换关联能中掺入了HartreeFock成分,改善了电子相关描述(具体讨论详见刘锦程博文,连接附在文后)。
电子结构的计算流程使用了vaspkit-1.1进行高对称点的生成和后期处理。重要的是，这个方法主要依赖于原胞。PBE能带计算流程开始，需要准备必要的文件。脚本run_banddos.sh的设定，运行后可生成包含能带数据的dat文件。以Si为例，展示能带图的直观结果。接着，探讨轨道投影能带，进一步展示Si的能带图。态密度...
· 检查赝势兼容性：确认所有元素赝势为同一泛函（如PBE）· 验证k点密度：执行k点收敛性测试（总能量变化<1 meV/atom）Q3：如何计算多个构型的能量差？1. 对每个构型独立运行单点能计算 2. 提取各体系的总能量 3. 计算能量差：ΔE = E(构型A) - E(构型B)六、注意事项 1. 结构必须预先优化：单点能...
📝 PBE能带计算步骤: 结构优化: 目标:获得优化结构文件CONTCAR。 操作:使用INCAR文件设定结构优化,命令qvasp -relax。生成KPOINTS文件:qvasp -k 0.3。使用建模软件转换CIF为POSCAR。生成POTCAR文件:qvasp -pbe ele_name。提交优化任务。 静态自洽计算: 目标:生成CHGCAR文件。
② BAND_GAP 文件包含带隙,VBM, CBM, 以及他们的位置; ③ KLABELS 文件包含高对称点信息,以及他们所在的位置; ④ 根据BAND.dat文件作出的bulk Si的能带图,使用PBE计算的Si的带隙是0.67 eV,属于直接带隙半导体。