首先需要说明HSE06计算能带的INCAR文件：INCAR文件可以通过调用VASPKIT程序来生成：vaspkit->1->101->H6)。有几个参数需要注意：需要设置ICHARG = 11，读取自洽计算的WAVECAR文件。#:上图所示时INCAR文件中关于HSE06的相关设置，一定要牢记，杂化泛函计算，ALGO参数设置为ALL或Damped，TIME设置为0.4，LHFCALC= .TRUE....
计算设置 首先需要说明HSE06计算能带的INCAR文件: INCAR文件可以通过调用VASPKIT程序来生成:vaspkit->1->101->H6)。有几个参数需要注意:需要设置ICHARG = 11,读取自洽计算的WAVECAR文件。 #:上图所示时INCAR文件中关于HSE06的相关设置,一定要牢记,杂化泛函计算,ALGO参数设置为ALL或Damped,TIME设置为0.4,LHFCALC= .T...
HSE06计算非常耗时,因此我们分两步进行计算,首先通过PBE计算一次并保存波函数(HSE06计算能带时需要调用这一步的波函数)。然后就是HSE06计算能带。 计算设置 首先需要说明HSE06计算能带的INCAR文件: HSE06计算能带的KPOINTS文件:
然后就是HSE06计算能带。 计算设置 首先需要说明HSE06计算能带的INCAR文件: INCAR文件可以通过调用VASPKIT程序来生成:vaspkit->1->101->H6)。有几个参数需要注意:需要设置ICHARG = 11,读取自洽计算的WAVECAR文件。 #:上图所示时INCAR文件中关于HSE06的相关设置,一定要牢记,杂化泛函计算,ALGO参数设置为ALL或Damped,TI...
VASP HSE06计算 1. 结构优化(PBE) 新建文件夹1_PBE_relax 四个输入文件:INCARKPOINTSPOSCARPOTCAR INCAR: # Basic setup: ISTART = 1 (Read existing wavefunction, if there) ICHARG = 2 (Self-consistent: GGA/LDA) ISPIN = 1 (Non-Spin polarised DFT)...
计算设置 首先需要说明HSE06计算能带的INCAR文件: INCAR文件可以通过调用VASPKIT程序来生成:vaspkit->1->101->H6)。有几个参数需要注意:需要设置ICHARG = 11,读取自洽计算的WAVECAR文件。 #:上图所示时INCAR文件中关于HSE06的相关设置,一定要牢记,杂化泛函计算,ALGO参数设置为ALL或Damped,TIME设置为0.4,LHFCALC= ....
建议查阅之前的相关教程。值得注意的是，HSE06计算的耗时显著，因此我们将其分为两步：首先，使用PBE进行计算并保存波函数，因为后续的HSE06计算会依赖于这个波函数。第二步，就是执行耗时较长的HSE06能带计算。在进行HSE06设置时，确保您理解并准备好了这两个关键步骤，以获得更准确的能带结构预测。
此外，利用HSE06函数也得到了异质结的能带结构，如图所示S3，与PBE计算相比，HSE06方法没有产生不同的带形，但间隙值（1.81 eV）显著增加。说明WSe2/MoSi2N4异质结是一种很有前途的光催化应用候选材料。图2 WSe2/MoSi2N4异质结能带结构及差分电荷密度 众所周知，结构稳定性是光催化材料的一个关键方面，因此...
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但是下一步HSE06.Band计算中用vaspkit911功能查看了带隙，是2.42,（文献值2.3，实验值2.0左右）。