接下来查了一下文献,又恰好赶上师兄会,哈哈迫不及待的计算了一下。 首先,完成一步自洽计算,写出WAVECAR 将WAVECAR 复制到下一步的文件夹中,修改INCAR INCAR:ISTART = 1 读取波函数LPARD = .TRUE. 计算decomposed charge densityIBAND = 21 需要计算的电荷密度对应的能带KPUSE = 35 38对应的K点LSEPB = ....
Band decomposed charge densities. 计算物理:vasp计算decomposed charge density 例如, 计算指定能带,指定K点的partial charge density的时候,需要再KPOINTS指定要计算的K点的reciprocal space的位置坐标。如下, 首先,INCAR中,设置KPUSE:指定所要计算的k点(哪个或哪几个),比如本例中,要计算一个,并相应的在KPOINTS设置...
Partial charge density计算或称为Band decomposed charge density计算，即计算特定的某个(或某些)k点和本征值(这些k点和本征值是相互对应的)所对应的本征波函数的平方(也就是电荷密度)。特别是用在STM的计算中，以及分析特定能量范围内或能量点的化学键特征(或atomic characteristic)。下面以计算金刚石结构Si(晶格...
晶体的轨道和能带编号n和Bloch波矢k都有关，即ψ_nk(r)，band decomposed charge density如果限定了n和...
Partialchargedensity计算或称为Banddecomposedchargedensity计算,即 计算特定的某个(或某些)k点和本征值(这些k点和本征值是相互对应的)所对应 的本征波函数的平方(也就是电荷密度)。特别是用在STM的计算中,以及分析 特定能量范围内或能量点的化学键特征(或atomiccharacteristic)。 下面以计算金刚石结构Si(晶格常数为...
然后参考vasp手册里Band decomposed chargedensity这一小节，在INCAR里添加几个参数。并且把ISTART改成1，...
2，进行band decomposed chargedensity计算。在新目录中考如1中的自洽的WAVECAR，在incar中设置参数LPARD=...
NBANDS一般可以用默认，有时候可以适当增加ISMARE=-5不可用。半导体或绝缘体用0，金属用1能带处理：程序band.cpp，g++编译，得到可执行文件a.outvasp计算得到EIGENVAL,删除前七行grep-vEEIGENVAL>band.in./a.out运行，得到bnd000.dat bnd000.dat文件的第一列数据是k点距离的绝对值，第二列数据是以Ferim...
https://www.vasp.at/wiki/index.php/Band_decomposed_charge_densities 但是如果打开了自旋,输出的电荷密度是上自旋+下自旋的,无法具体区分到某一个自旋轨道,在官网的wiki中也明确指出了:PARCHG中的第一部分是上自旋+下子旋,第二部分是上自旋-下子旋,所以只需要简单地处理一下就可以得到上下自旋分别的局域电荷密...
导出.vasp的文件,就能放到vasp中运算了,partial charge density(pcd)计算-vasp,定义: partial charge density计算或称为band decomposed charge density计算,即计算特定的某个(或某些)k点和本征值(这些k点和本征值是相互对应的)所对应的本征波函数的平方(也就是电荷密度)。,默认值是.false.,当为.true.时,表示...