ISIF = 2 ②块体晶格参数优化 IBRION = 2 ISIF = 3 ③二维材料晶格参数优化 a．IBRION = 2；ISIF = 3，OPTCELL 写入 110，高精度计算 b．IBRION = 2；ISIF =４，高精度计算 c．IBRION = 2；ISIF = 3，高精度计算，加超大真空层 态密度和能带 ①态密度计算：ISTART=1；ICHARG=11；ISMEAR= -5；LO...
1、OPTCELL 文件中 0 和 1 之间是没有空格的。 2、刘锦程博士的博文中还讨论了一种情况:将 OPTCELL 中上三角矩阵元设为 0 可以使得在弛豫过程中晶胞晶格不发生转动。但个人认为这么做可能存在一定的风险。具体讨论如下: 简单起见,假设晶格 c 轴垂直于 ab 轴平面。同时假设 a 轴沿笛卡尔坐标系 x 轴正方向(...
EXIST=FILFLG)IF (FILFLG) THENOPEN(67,FILE='OPTCELL',FORM='FORMATTED',STATUS='OLD')DO J=1,3READ(67,"(3I1)") (ICELL(I,J),I=1,3)ENDDOCLOSE(67)DO J=1,3DO I=1,3IF (ICELL(I,J)==0) FCELL(I,J)=0.0ENDDOENDDOENDIF...
③二维材料晶格参数优化 a.IBRION = 2;ISIF = 3,OPTCELL 写入 110,高精度计算 b.IBRION = 2;ISIF =4,高精度计算 c.IBRION = 2;ISIF = 3,高精度计算,加超大真空层 态密度和能带 ①态密度计算: ISTART=1;ICHARG=11;ISMEAR= -5;LORBIT=11 需要将自洽计算得到的CHG、CHGCAR拷贝至同一目录下 ②能带计算...
在目录下建立文件OPTCELL，第一行输入三个数字（比如110），数字1表示优化，数字0表示不优化；三个数字...
可使用OPT_CELL版本的VASP对表面及异质结进行有化,其编译过程可参考网页[2,3]。笔者测试过,OPTCELL版本VASP在真空层厚度不变的情况下,相对于ISIF=2优化出更低的能量。做分离功时,如果用ISIF=2记得固定原子Z轴,固定方法可用atomsk: atomsk MS导出的cif文件名 -fix Z -frac vasp VASP计算操作总结 四、分离功...
SIZEENDDOENDDOENDDO复制代码当通过OPTCELL文件把晶格矢量在某个方向的受力改成0以后，IF (ICELL(I,J...
使用刘锦程大佬分享的constr_cell_relax.F重新编译VASP即可,用法:添加OPTCELL文件,如固定 Z 轴(非正交体系同样适用) 110 110 000 5.ZBRENT: fatal error in bracketing http://blog.sciencenet.cn/blog-3222255-1066034.html ENCUT = 400.0 【增加ENCUT,如 460 eV...
为了实现特定方向的晶格优化,先前刘锦程博士详细讲解了“VASP固定基矢优化结构方法”(见文末链接),这对于二维材料领域的科研工作者们具有很大实用性。通过重写constr_cell_relax.F文件并且重新编译VASP,该方法通过设置一个OPTCELL文件可以在VASP晶胞优化(ISIF = 3)过程中允许在9个自由度上自由弛豫。
计算有效质量分为两种方法,一是由能带计算有效电子质量,二是结合vaspkit计算有效质量,下面分别阐述。 方法一: 1、优化结构(二维材料需要考虑范德华校正、OPTCELL控制晶格等,根据实际情况而定) 2、SCF自洽计算,取CHGCAR进行能带计算 3、能带计算之后得到highk.dat是高对称点的坐标位置,这些坐标就是能带图中对于的高对...