若无特殊情况（比如G09 D.01的D3BJ做freq有bug），不管什么程序都建议用BJ阻尼 不存在零阻尼更容易...
12是D3(BJ),E0里已经包含校正值
对于简单体系,MAGMON可以采用默认值 对于含有 d、f 电子的原子可设置较大的值(d 和 f 轨道最大磁矩为 5 和 7) 对于多个原子,MAGMON可设为,MAGMON=原子个数*初始磁矩,即N*mag, 注意* 号前后不要有空格,原子个数和初始磁矩顺序不要颠倒,如果你知道体系初始磁矩是多少,那么可以设1.2倍或者1.5倍即可,如果不知...
lattice parameters: 接近 原子垂直距离:差0.3A以及0.3A 2) (以下都额外加了真空层) ISIF=2, D3: lattice parameters: 接近 原子垂直距离:接近以及差0.5A 3)ISIF=4, D3: lattice parameters: 接近 原子垂直距离:差0.5A以及0.3A 4)ISIF=3, D2: lattice parameters: 不接近 原子垂直距离:接近 5)ISIF=3,...
作者将能量和力的收敛标准分别设置为10−5 eV和0.01 eVÅ−1,并通过3×3×1的Monkhorst–Pack k点网格对倒易空间进行采样。作者采用DFT+U方法来处理Cr原子的3d 电子强相关性,并将U-J值设置为3eV。作者应用Grimme的D3方案来描述范德华相互作用,并沿z方向设置了20 Å的真空层。基于PHONOPY中的密度泛函...
引入偶极修正来消除周期边界条件产生的总能量和静电势的误差。采用DFT-D3 Grimme校正来描述vdW的相互作用，将能量和最大力的收敛公差分别设为1× 10-5 eV和0.01eV·Å-1。结果与讨论 图1显示了g-GaN与C2N结构的晶体结构图与能带图像。优化后晶格参数与前人工作保持一致。图1(b)和(d)分别显示了HSE06水平下...
1）基于半经验的，包括了D2, D3, D3-BJ, TS, TS+SCS等等，这些都是在常用的交换关联泛函比如PBE的基础上，考虑色散力的作用，在PBE计算出来的总能基础上增加了额外半经验项，这一项需要设置一些参数，至于是哪种半经验公式，由IVDW的设置来决定，具体的参考VASP的手册。2）另一类就是vdW-DF，也...
就拟合数据库大小、阻尼校正因子等技术细节而言,D3肯定优于D2,目前VASP5.3.4以上版本都支持,我建议如果无特殊原因就采用D3校正,具体设置是IVDW=11 (零阶阻尼)或者IVDW=12(BJ阻尼), 绝大部分情形下后者优于前者,计算量略有增加,还是值得。D4是 Grimme团队提供的最新方案,VASP6.2已经支持,但我没有测试过,也不...
VASP算出来的压电应变张量需要乘以弹性柔顺系数，结果就是实验中测出的d ，也就是压电应力张量 ...
对于结构优化,电子能量和力的收敛阈值分别设置为1.0×10-5 eV和0.02 eV Å-1。为了更精确地计算频率,将电子能量收敛阈值提高到1.0×10-7 eV。采用Grimme方法(DFT-D3)来考虑范德瓦尔斯相互作用。考虑了电化学环境中的水效应,建立了水的介电常数为80的Poisson-Boltzmann隐式溶剂模型。