虽然三星官网未提及价格,但德国亚马逊上已出现1TB和2TB版本的售价分别为114.90欧元(约900元人民币)和189.90欧元(约1487元人民币),而这个价格是否为实际售价尚不确定,因为与三星德国官网同容量的990 Pro只便宜了一点点。 从参数上看,这款固态硬盘采用PCIe 4.0 x4或5.0 x2标准、M.2 2280外形,基于V-NAND TLC闪存,...
据TomsHardware报道，三星正在开发第10代V-NAND闪存，属于容量为1Tb的TLC闪存，单元堆叠层数将超过400层，将在ISSCC 2025进行展示。三星表示，新款4xx层3D TLC NAND闪存的密度为28 Gb/mm²，仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存，后者的密度为28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。其中...
快科技11月5日消息，三星推出了新款990 EVO Plus SSD 4TB版本，支持PCIe 4.0/5.0和最新的NAND闪存技术，首发1899元。新款SSD采用M.2 2280规格，重量约为9g，采用了PCIe 4.0 x4/PCIe 5.0 x2接口，支持NVMe 2.0协议，搭载了三星5nm自研控制器和第8代V-NAND TLC闪存。最大连续读写速度分为7250MB/s和6...
快科技11月5日消息,三星推出了新款990 EVO Plus SSD 4TB版本,支持PCIe 4.0/5.0和最新的NAND闪存技术,首发1899元。 新款SSD采用M.2 2280规格,重量约为9g,采用了PCIe 4.0 x4/PCIe 5.0 x2接口,支持NVMe 2.0协议,搭载了三星5nm自研控制器和第8代V-NAND TLC闪存。 最大连续读写速度分为7250MB/s和6300MB/s,...
深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高...
据悉,三星半导体近日宣布已成功实现第九代V-NAND1Tb TLC产品的量产,其单位面积内存储量较前代产品大幅提升了约50%。这一成绩得益于先进的通道孔蚀刻技术,大幅度提升了生产效率。 第九代V-NAND采用双堆叠设计,将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
IT之家 11 月 5 日消息，姗姗来迟的三星 990 EVO Plus 4TB 版本固态硬盘已于上周六开售，首发到手价 1899 元。这款固态硬盘整体尺寸 80.15 x 22.15 x 2.38mm，为 M.2 2280 规格，重约 9g，搭载了三星 5nm 自研控制器和第 8 代 V-NAND TLC 闪存。这款产品支持 NVMe 2.0 协议，采用 PCle4.0 ...
IT之家 4 月 23 日消息,三星半导体今日宣布,其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产,比三星上一代产品提高约 50% 的位密度(bit density),通过通道孔蚀刻技术(channel hole etching)提高生产效率。 凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,三星第九代 V-NAND 的位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%...
近日,三星半导体宣布已顺利实现第九代V-NAND 1Tb TLC产品大规模生产,单芯片容量较前代提升近50%,同时通过新型通道孔蚀刻技术提升了生产效益。 作为九代V-NAND的核心技术,双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解,三星计划于明年推出第十代NAND芯片...
三星量产第九代V-NAND闪存：三星正式宣布了第九代V-NAND闪存量产的消息。TLC类型的第九代V-NAND单die容量1Tb，存储密度相比第八代V-NAND提高大约50%，功耗降低10%。三星第九代V-NAND还包括一项重大升级：闪存接口支持Toggle 5.1标准，I/O速度从当前第八代V-NAND的2000 MT/s提升至3200 MT/s，有助于高速PCIe...