TurboWrite通过使用SSD中预先分配的SLC写入缓冲区，显著加快了写入速度，可在数据传输过程中长期保持高性能，在NAND方面，870 EVO使用了三星最新的第六代V-NAND技术，并且经过三星专业的电路设计，相对于第五代V-NAND颗粒，读写性能均有提升，达到560MB/S和530MB/S的连续读取性能表现，同时在持续的随机写入性能提升提...
在控制器和NAND颗粒方面,全新的870 EVO采用了最新的MKX控制器,相对于上代控制器全面升级,搭配大容量的独立缓存,能够提供极佳的性能表现,长时间的高负荷运载过程中,三星870 EVO依旧能够表现出色。TurboWrite通过使用SSD中预先分配的SLC写入缓冲区,显著加快了写入速度,可在数据传输过程中长期保持高性能,在NAND方面,870 E...
870 EVO不仅采用了第六代V-NAND,三星为优化这款SSD还设计了全新的电路,可以实现更快的传输速度以及更低的写入时延;且与860 EVO相比,870 EVO在持续随机写入的性能提升高达30% 此外,870 EVO采用了增强型1xxL层V-NAND以及使用先进ECC算法的高级全新MKX控制器,耐久性强,在用户长时间使用硬盘时870 EVO也...
在控制器和NAND颗粒方面,全新的870 EVO采用了最新的MKX控制器,相对于上代控制器全面升级,搭配大容量的独立缓存,能够提供极佳的性能表现,长时间的高负荷运载过程中,三星870 EVO依旧能够表现出色。TurboWrite通过使用SSD中预先分配的SLC写入缓冲区,显著加快了写入速度,可在数据传输过程中长期保持高性能,在NAND方面,870 E...
870 EVO不仅采用了第六代V-NAND,三星为优化这款SSD还设计了全新的电路,可以实现更快的传输速度以及更低的写入时延;且与860 EVO相比,870 EVO在持续随机写入的性能提升高达30% 此外,870 EVO采用了增强型1xxL层V-NAND以及使用先进ECC算法的高级全新MKX控制器,耐久性强,在用户长时间使用硬盘时870 EVO也显得更加智能...
此外,870 EVO采用了增强型1xxL层V-NAND以及使用先进ECC算法的高级全新MKX控制器,耐久性强,在用户长时间使用硬盘时870 EVO也显得更加智能,有效分配缓存以及读写区间。 在此仍然不得不提的技术就是三星的智能TurboWrite技术,该技术于2016年首次应用于960 EVO。智能TurboWrite通过使用SSD中预先分...
在控制器和NAND颗粒方面,全新的870 EVO采用了最新的MKX控制器,相对于上代控制器全面升级,搭配大容量的独立缓存,能够提供极佳的性能表现,长时间的高负荷运载过程中,三星870 EVO依旧能够表现出色。TurboWrite通过使用SSD中预先分配的SLC写入缓冲区,显著加快了写入速度,可在数据传输过程中长期保持高性能,在NAND方面,870 ...
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三星 V-NAND SSD 870 EVO 2021 数据手册说明书 Revision 1.1 1