总的来说，UVEPROM是一种实用且灵活的存储解决方案，它的存在为那些需要可编程且可重复擦写特性的应用提供了理想的选择，如工业控制、嵌入式系统开发等。通过紫外线擦除的方式，UVEPROM在数据的存储和管理上展现出了独特的魅力和高效性。
UV-EPROM的擦除操作是通过紫外线进行的。市场上虽然也有擦除器销售,但利用市场上销售的紫外线灯(杀菌灯)可以自己制作擦除器。制作非常简单,笔者曾经尝试着制作了一个。 1. EPROM擦除器的电路 图是笔者尝试制作时使用的EPROM擦除器电路,这比真正的电路图简明易懂,是以与实际配线图近似的形式描绘的。紫外线灯也...
此外，EEPROM的价格通常比UVEPROM更高，这是需要考虑的一个成本因素。相比之下，UVEPROM则依赖于不同的擦除方法，可能需要将芯片从电路板上取下才能进行数据更新，这在一定程度上降低了其操作的灵活性，但可能在存储速度和成本上具有优势。因此，选择EEPROM还是UVEPROM，用户需要权衡其对速度、成本和操作便...
作为UV-EPROM的实例,我们以AMD公司1M位(128K×8位)UV-EPROM的Am27C010为例进行说明。 Am27C010的引脚配置如图1所示,图2是在其内部框图的基础上,根据引脚的功能分组表示的。在图1中,NC引脚没有在图2中出现,NC是无连接(No-Connection)的缩写,它虽然作为封装的引脚存在,但其内部并不与任何部件相连接。下面我们...
与UV-EPROM比,用电实现擦除的PROM(Electrically Erasable Programmable ROM,EEPROM)有许多优势。其一它是用电来擦除原有信息,因此可实现瞬间擦除,不像UV-EPROM需要20分钟左右的擦除时间。此外,使用者还可以有选择地擦除某个具体字节单元内的内容,而不像UV-EPROM那样,擦除的是整个芯片的所有内容。而EEPROM的最主要...
图1 UV-EPROM的写入 当浮置栅接收到紫外线的照射,浮置栅中的电子接收了紫外线光量子的能量,则电子变成具有穿透硅氧化膜能壁能量的热电子。如图2所示,热电子穿透硅氧化膜,流向基板和栅极,恢复为擦除状态。UV-EPROM的擦除操作,只能通过接收紫外线的照射来进行,而不能进行电子擦除。也就是说,UV-EPROM只能够进行由...
UV-EPROM的存储单元是由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)构成的,在它的控制栅和N沟道间有一个称为浮置栅的特殊栅极,这是UV-EPROM单元结构的主要特征。 由于浮置栅利用氧化膜使栅极与基板绝缘,使存储于此处的电荷不能被轻易释放,从而达到持续保存记忆的目的。与闪速存储器相同,通过浮置栅中是否存储电荷,利用 ...
UV-EPROM的输入输出信号 作为uv-eprom的实例,我们以amd公司1m位(128k×8位)uv-eprom的am27c010为例进行说明。 am27c010的引脚配置如图1所示,图2是在其内部框图的基础上,根据引脚的功能分组表示的。在图1中,nc引脚没有在图2中出现,nc是无连接(no-connection)的缩写,它虽然作为封装的引脚存在,但其内部并不与...
UV-EPROM的读操作 接下来我们看一下UV-EPROM的读操作。无论怎么说,这只是作为ROM(Read Only Memory,只读存储器)的操作,因而非常简单。 将地址总线(A0～A16)设置为希望访问的地址,当CE=OE=低电平时,DQ中出现数据。 现在,让我们来讨论AC特性。 AC特性对时序进行了规定。图显示了Am27C0l0读操作时的波形。具体...