集成电路UT3401ZG-AE3-R SOT-23智能电源IGBT达林顿数字晶体管三 ¥ 0.50 10 个 起批 物流 广东省 广州市 快递费 ¥8.00 付款成功后2天内安排发货 规格 请选择规格 属性 品牌:沃嘉泰 电源电压:R6024KNXGZC7 规格型号:SI4412ADY-T1-E3,SI4420DY,SI4425BDY-T1-GE3,SI4431CDY-T1-E3,SI4435DYTR,...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 UT3401ZG-AE3-R-VB 商品编号 C20754962 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.018克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 属性参数值 ...
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTDUT3401ZPower MOSFETwww.unisonic.com.tw1 of 5Copyright © 2009 Unisonic Technologies Co., LtdQW-R502-163.EP-CHANNEL ENHANCEMENTMODEDESCRIPTION 数据表 search, datasheets, 电子元件和半导体, 集成电路, 二极管, 三端双向可控硅 和
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 场效应管、 MOS管、 芯片、 UT3401ZG、 AE3、 R、 SOT23、 微碧半导体 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流(Id): -5.6A 导通电阻: 47mΩ@VGS=10V,VGS=20...
UT3401ZG-AE3-R-VB是一款高性能的P-Channel沟道MOSFET,采用SOT23封装,具有低导通电阻、严格Rg测试和高功率效率等特性。其最大额定值为30V VDS, 30V VGS, -5.6A ID, -18A IDM, 最大功率耗散为2.5W(25°C)和0.8W(70°C), 工作温度范围为-55°C至150°C, 静态参数包括击穿电压、阈值电压、导通电阻等,...
品牌:UTC(友顺) 商品型号:UT3401ZG-AE3-R 产品状态:在售 封装规格:SOT-23 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103387705 商品参数 选型手册 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 UTC(友顺) 封装规格 SOT-23 包装 圆盘 根据勾选的参数属性查找商品。 海量...