USB端口由4条线路组成,其中D+和D-用于双向数据传输,其余2条线路用于总线电压及接地。图2是NUP4114UPXV6为USB2.0高速数据应用提供ESD保护的电路图。 USB控制器 如果发生ESD瞬态事件,器件中的控向二极管使瞬态电流避开受保护的IC,而集成的TVS器件将浪涌电流转移到地。TVS元件还会抑制电压总线(VBUS)上的ESD事件。NUP41...
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1)Super Speed USB数据传输线保护用ESD二极管选型 从东沃USB4高速端口浪涌静电防护方案图中可知,为了避免寄生电容限制差分信号在USB4上的传输,ESD二极管DW05DGCF-B-E,其寄生电容低至0.2pF,从而能成功通过40 Gbit / s的眼图测试。同时,DW05DGCF-B-E具有较低的钳位电压,能够在直接引脚注入测试中有效地协助USB4接...
简而言之,坚固的USB Type-C连接器保护不仅需要标准ESD二极管,而且需要具有更高电压、直流耐受的瞬态电压抑制器(TVS)二极管。 需要在OVP和IEC ESD保护的连接器进行系统保护,但是一个完整的USB Type-C端口保护解决方案应该使您的系统符合新的USB标准的规格。例如,若您的系统利用USB Type-C的新功能(例如支持超高速通信...
一、USB2.0单接口静电浪涌保护方案 1)USB 2.0单接口静电浪涌保护方案用分立式ESD二极管 从方案图中可知,USB2.0供电端VBUS选用ESD二极管DW05DP-S,工作电压为5V、击穿电压5.7V、钳位电压15V、最大浪涌峰值电流可达100A、DFN1610-2L封装。在高速差分数据线D+和D-静电保护中,东沃技术选用DW05DLC-B-S,工作电压为5V、...
USB 3.0的SuperSpeed接口需要比USB 2.0电容更低的ESD保护。增加极低电容PESD器件可以减小插入损耗,满足USB 3.0的要求。PESD器件的典型电容为0.2pF,超过6 GHz范围内插入损耗平稳,同时可以应对各种ESD瞬态。 与多数传统MLV(多层变阻器)或TVS(瞬态电压抑制)二极管技术相比,PESD器件具有更低的电容,而其低触发电压和低钳...
型号 BV05C ESD05V32D-LC 产品类型 ESDSuppressors 极性 Bidirectional 工作电压 8V 通道数量 1PCS 端接类型 SMD//SMT 封装/规格 0805(2012metric) 击穿电压 9V 钳位电压 9.8V 峰值脉冲功耗(Pppm) 350W Vesd-静电放电电压触点 6.2V Vesd-静电放电电压气隙 6.2V Cd-二极管电容 0.8PF Ipp...
ESDAULC6-3BP6 封装SOT-666 ESD抑制器/TVS二极管 一站配单 欢迎询价 -- 60000 ST/意法 SOT-666 21+ ￥7.6000元1~-- 件 深圳和润天下电子科技有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 银河微代理 ESD保护二极管 TGESD5V0X1D3 SOD-323封装 TGESD5V0X1D3 1百万 银河微电子 SOD-323 24...
了解USB元件的ESD防护本质,有助于明确针对USB应用的半导体器件所必需的特性: 1. 低电容(5pf),以减少高速速率下(480Mbps, USB 2.0)的信号衰减。 2. 快速工作响应时间(纳秒),可以在ESD脉冲的快速上升时间内保护USB元件。 3. 低漏电电流,以减少正常工作下的功率能耗。 4. 稳固耐用,在反复性的ESD情况下仍然完好...
东沃USB Type-C接口静电放电保护方案是根据USB Type-C不同的pin脚功能分别采用小体积低结电容ESD静电保护二极管DW05DRF-B-E、DW05DPF-B-S、DW05DUCF-B-E和大通流TVS二极管DW24P4N3-S,导通电压精确、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低,在不影响数据传输的前提下能够满足 IEC61000-4-2 Level 4 静电放电...