速率高达480Mbps的USB 2.0高速数据线路应用需要有效的ESD保护。安森美半导体的低电容TVS二极管阵列NUP4114UPXV6提供0.8pF的极低电容,能高速应用中的信号衰减降至极低。它提供3种不同的配置选择,可保护多达4条数据线路,让应用免受瞬态过压的影响,并迫使瞬态电流避免流过敏感的CMOS芯片。此外,该器件还符合IEC61000-4-2...
4、TrEOS ESD保护技术:Nexperia的TrEOS ESD保护技术,适用于高速数据线如USB4,提供低插入损耗和低回波损耗,同时具备低钳位电压,保护敏感的高速数据线。 5、TPD1E01B0:德州仪器(TI)提供的ESD保护二极管,具有3.6V的反向工作电压(VRWM),15/17kV的IEC 61000-4-2 ESD等级,电容为0.18pF,适用于D+、D-、TX+、TX-...
第一，通过体电容放电的方式对此产品无明显改善，估计这是因为存在更低回流的路径，使得体电容的影响变得非常小；第二，通过改变ESD的流向，使得大部分静电通过就近的电源端口到地，可以极大地改善ESD防护性能，保护内部电路。接下来要研究的是ESD敏感点的排查。通常情况下，不同的产品，排查的难易度有很大区别。越复...
第一,通过体电容放电的方式对此产品无明显改善,估计这是因为存在更低回流的路径,使得体电容的影响变得非常小;第二,通过改变ESD的流向,使得大部分静电通过就近的电源端口到地,可以极大地改善ESD防护性能,保护内部电路。 接下来要研究的是ESD敏感点的排查。通常情况下,不同的产品,排查的难易度有很大区别。越复杂的PCB...
晶焱科技拥有先进的ESD保护设计技术,特别针对USB 3.0的保护需求推出了AZ1065系列ESD保护组件。为了将保护组件的寄生电容对4.8Gbps差动(Differential)信号高速传输的影响降至最低,AZ1065的寄生电容低于0.3pF。在极严格的电容要求下,任一引脚在室温时仍可承受IEC 61000-4-2接触模式10kV ESD的攻击。
USB 3.1/2结合了TX/RX差分线路,以达到10Gbps的速度,对于这些速度,ESD保护的电容必须最小化,以保持信号完整性。 用于USB 3.2 Gen 2的TX/RX线路的ESD解决方案应具有0.3pF或更低的电容,以实现信号完整性,且工作电压大于3.6V。一种解决方案是用于数据线(TX、RX)的超低电容的4通道ESD设备,结合用于D+/D的低电容...
四、USB ESD保护的案例分析——以晶扬电子产品为例 一、USB的发展历史及分类 USB(Universal Serial Bus,通用串行总线)是用于连接计算机和外部设备的一种标准,接口可连接127种外设,如鼠标和键盘等。它在20世纪90年代中期被引入,旨在简化设备连接并提高数据传输速度。
一、USB外壳的防护首先,前面已经提到,所有的USB设备接口均为金属外壳,所以按照ESD测试标准,一般我们采用接触放电的方式,当然,也存在某些接口金属过于内缩,影响直接接触,这时则必须采用空气放电的方式,有时候放电方式的选择很重要。接下来,我们需要熟悉一下ESD放电的回流路径,如下图: ...
一、USB2.0单接口静电浪涌保护方案 1)USB 2.0单接口静电浪涌保护方案用分立式ESD二极管 USB2.0接口静电保护方案 DW05DP-S、DW05DLC-B-S参数 从方案图中可知,USB2.0供电端VBUS选用ESD二极管DW05DP-S,工作电压为5V、击穿电压5.7V、钳位电压15V、最大浪涌峰值电流可达100A、DFN1610-2L封装。在高速差分数据线D+和...
ESD防护设计 当我们拿到一个接口电路时如何去设计它的ESD防护? 一、确认被保护电路的最大直流或连续工作电压 ——USB2.0的电源VCC工作电压最大5V,VD+和VD-电压在0-3.6V之间。 二、TVS的额定反向关断电压VRWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压 ——VCC电源TVS反向关断电压VRWM>5V; ...