1. 性能差异:虽然US1M和RS1M的最大整流电流和最大反向电压等关键参数相近,但在实际使用中,它们的性能表现可能因制造工艺和材料的不同而有所差异。一般来说,US1M二极管的反向恢复时间更短,这意味着它在处理高频信号时具有更高的效率。 2. 使用场景:由于性能上的差异,US1M和RS1M二极管在使用...
US1M二极管是一款采用SMA封装的高效恢复二极管,具有小电流、贴片的特点。其关键参数如下: 1. 反向峰值电压(VRRM):1000V。这意味着US1M二极管能够承受的最大反向电压为1000伏特,超过此电压可能会导致二极管损坏。 2. 正向电流(Io):1A。在正向导通状态下,US1M二极管允许通过的最...
US1M二极管是一种快恢复整流二极管,其详细参数如下: 型号:US1M 封装形式:SMA 特性:小电流、贴片 电性参数: 正向电流1A 反向电压可达1000V 芯片材质:GPP(Glass Passivated Chip,玻璃钝化芯片) 正向电压(VF):1.7V 浪涌电流(Ifsm):30A,这表示二极管在短时间内能承受的最大电流冲击 漏电流(Ir):5uA,在反向电压下...
中文名:US1M /分类: 超快恢复二极管 /封装:DO-214AC,SMA/ 电压:1000V /电流:1A 1.基本简介 US1M为超快恢复二极管，开关特性好、反向恢复时间超短。常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。2.基本参数 型号：US1M电压：1000V电流：1A 正向...
一、US1M二极管参数详解 US1M是一种超快恢复整流二极管,广泛应用于开关电源、逆变器等高频电路。其核心参数如下(数据来源:ON Semiconductor官方Datasheet): 1. 反向重复峰值电压(VRRM):1000V,表示二极管可承受的最大反向电压,超过此值可能击穿。 2. 平均正向整流电流(IF(AV)):1A,即长期工...
一、US1M二极管参数 US1M二极管是一种高性能的快恢复整流二极管,被广泛应用于小型开关电源的整流输出,亦可作为续流二极管或保护二极管使用。其关键参数如下: * 正向电流(Io):1A * 反向电压:1000V * 恢复时间(Trr):75-100ns * 芯片材质:GPP(玻璃钝化技术) * 正向电压(VF):1.7V ...
us1m二极管的最基本参数包括最大功耗(Pd)、电流放大倍数(hFE)、集电极截止电流(Ic)和发射极截止电流(Ie)等。 最大功耗(Pd)是指us1m二极管在工作时电路所耗费的最大功率,也称为耗散功率,取决于封装结构和器件工作温度,单位通常为瓦特(W)。Pd是系统设计安全可靠的基本参数,二极管的电流放大倍数及其其他参数的取值...
以下是US1M二极管的主要参数: 1. 正向电流(Io):1A。这是指二极管在正常工作时允许通过的最大电流。 2. 反向耐压:1000V。表示二极管在反向连接时能承受的最大电压,超过此电压可能会导致二极管损坏。 3. 正向电压(VF):1.7V。当二极管正向导通时,会产生一定的电压降,这个值通常在0.6V...
贴片二极管US1M是一款小电流、高效恢复二极管,采用SMA封装,内部包含1颗GPP硅芯片。其关键参数如下: 1. 浪涌电流Ifsm:达到30A,这意味着US1M能够承受瞬间的大电流冲击,适用于需要高可靠性的电路设计。 2. 漏电流Ir:在特定条件下,US1M的漏电流仅为5uA,这有助...