压电mems与cmos工艺制ic融合是今后mems器件能否更加紧凑且多功能化的关键,由于传统溅射法和sol-gel法在制备压电mems器件母材的pzt膜时分别至少需要600℃和700℃以上温度,同时cmos型电路则通常要置于500℃以下制备,成形工序环境的互驳导致双方一直很难整合到一起,而能高均匀对应8inch硅基板的sme200则可将pzt在485℃...
TAMAGAWA TBL-I SERIES AC SERVO MOTOR TS4127N1002E200 TS4127N1002E200 KDT SYSTEMS CYMON CM1-EC01A CM1EC01A ALLEN BRADLEY BULLETIN 1391 AC SERVO CONTROLLER 1391-DES15-DI-AQB 1391DES15DIAQB BERGER LAHR 0052062045000 MOOG ANIMATICS INTERGRATED SERVO SYSTEM SM3420D-DE SM3420D DE FANUC A16B...