UIO66NH2的晶面间距受多种因素影响,包括但不限于: 3.1金属离子的种类。 不同金属离子具有不同的半径和电荷,将影响UIO66NH2晶体的结构及晶面间距。 3.2有机配体的结构。 有机配体的结构也会影响UIO66NH2晶体的形貌和晶面间距,不同的配体可能形成不同的空间排布。 3.3合成条件。 合成条件如温度、溶剂、反应时间等...
HRTEM图中晶面间距0.947nm对应与NH2-UiO-66(Zr)的{110}晶面。HAADF-STEM图和对应的EDS元素分布图显示Zr、O、C和N元素均匀分布于八面体中。这些结果佐证本发明中胺基官能团被成功引入多孔八面体骨架中且分布均匀。结果如图6的FTIR结果所示,波数为3460cm-1、3358cm-1峰分别对应于伯胺基图的对称和非对称伸缩振动。
所述的c-dots是采用蜡烛烟灰经过氨水处理合成的,c-dots平均粒径为20nm,晶格间距为0.208nm,uio-66-nh2的表面光滑,粒径为200nm以上。如果c-dots粒径过小,uio-66-nh2孔径内可能有多个碳点,不利于分散均匀。不同的制备方法制备的碳点的粒径和荧光性能差异较大,粒径越大的碳点的光致发光会红移。 本发明制备的c-...
UiO-66(NH2)/壳聚糖复合膜的XRD表征: 图4是a)实施例1中UiO-66NH2;b)壳聚糖;c)实施例8中的壳聚糖复合膜的XRD图谱。图4中的a是UiO-66(NH2)的XRD图谱,其中7.4处的(111)晶面和8.5处的(002)晶面是UiO-66(NH2)的两个特征峰,与文献报道的一致,证明我们成功地合成了UiO-66(NH2)。图4中的b)是壳聚糖的XRD图...
高分辨透射电镜(图4)中,出现的晶格条纹d=0.223 nm,是PtCo合金的晶面间距,而对比实施例1~3只有属于Pt(111)的晶面间距(d=0.230 nm)。说明采用本发明方法制备的PtCo@UiO-66-NH 2 含有PtCo双金属合金。 XPS谱图(图5)显示,对比实施例1~2的催化剂中Pt 4f 5/2 位于71.1 eV,实施例1~4与其相比向低结合能处...
图1c可以看出,在0.5 wt%的CQDs/UiO-66 MOG中,可以观察到CQDs的(002)晶面间距为0.34 nm,证实了CQDs的成功掺杂。为了进一步证实CQDs与UiO-66 MOG的复合,作者进行了FTIR光谱表征。在1248 cm−1(C-H)处发现了CQDs/UiO-66 MOG的新峰值,这归因于CQDs的出现,证实了CQDs有效复合在UiO-66 MOG上。图1d显示的0.5...
氨基功能化UiO-66负载铂钴双金属纳米合金催化剂的制备方法.pdf,本发明涉及一种氨基功能化UiO‑66负载铂钴双金属纳米合金催化剂的制备方法,该方法包括以下步骤:⑴将铂盐、2‑氨基对苯二甲酸溶解于N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中,形成含铂溶液;⑵在含铂溶液中,添加乙酸,
图1c可以看出,在0.5 wt%的CQDs/UiO-66 MOG中,可以观察到CQDs的(002)晶面间距为0.34 nm,证实了CQDs的成功掺杂。为了进一步证实CQDs与UiO-66 MOG的复合,作者进行了FTIR光谱表征。在1248 cm−1 (C-H)处发现了CQDs/UiO-66 MOG的新峰值,这归因于CQDs的出现,证实了CQDs有效复合在UiO-66 MOG上。图1d显示的...
@UiO-66-NH 2 进行SEM、TEM、HRTEM和XRD表征,结果表明Ag + @UiO-66-NH 2 的平均粒径为200nm,具有清晰的八面体结构,TEM图像图1(A)显示Ag@UiO-66-NH 2 具有非常规则的空间结构,其表面均匀分布着Ag纳米粒子,HRTEM图像图1(D)显示晶格间距为0.23nm的Ag颗粒的晶体特性,其对应着Ag的(004)晶面特性(PDF#41-...