我们成长矽或锗化矽膜的低温磊晶(LTE)技术,系由Berned Meyerson 博士於1980年早期所发展,称为超高真空化学气体沉积(U… ssttpro.acesuppliers.com|基于2个网页 3. 超高真空设备 ...A2002/ESCA2007.html 并连结一个超高真空设备(UHV-CVD) ch2.ntust.edu.tw|基于 1 个网页 更多释义...
UHV/CVD 不涉及诸如边界层等流体动力学效应;此外,由于分子的碰撞频率很低,也不涉及气相化学。材料在基底上的生长速率通常取决于达到表面的物质的分子通量。我们也可以借助 UHV/CVD 工艺来生产石墨烯,我的同事 Daniel Smith 曾在“石墨烯革命”系列文章的第四部分讨论过。 利用COMSOL Multiphysics 模拟 UHV/CVD 如...
UHV/CVD硅外延层扩展电阻与过渡区特性叶志镇
设备及其特性UHV/CVD雷震霖赵科新余文斌任国豪谢琪(中国科学院沈阳科学仪器研制中心)余金中成步文于卓王启明(中国科学院半导体研究所)杨乃恒(东北大学)UHV/CVDSystemanditsCharacteristicsLeiZhenlin,ZhaoKexin,YuWenbin,XieQi(ShenyangSciencesInstrumentR&DCenter,ChineseAcademyofSciences)YuJinzhong,ChengBuwen,YuZhuo,WangQin...
1) UHV-CVD UHV-CVD 1. Application of a SiGe Multi-Quantum Well Grown byUHV-CVDfor Thermophotovoltaic Cells; UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用 2) UHV/CVD UHV/CVD 1. Growth of near planar Si_(0.5)Ge_(0.5) epitaxial layers directly on Si substrate byUHV/CVDat 500℃;...
UHVCVD Dictionary, Encyclopedia and Thesaurus - The Free Dictionary13,823,949,413visits served TheFreeDictionary Google ? Keyboard Word / Article Starts with Ends with Text EnglishEspañolDeutschFrançaisItalianoالعربية中文简体PolskiPortuguêsNederlandsNorskΕλληνικήРус...
59 p. SiC外延生长加热系统热场分析 2 p. UHVCVD低温外延的表面粗糙度研究毕业论文 5 p. 双层多孔硅结构上的UHVCVD硅外延 5 p. 双层多孔硅结构上的UHVCVD硅外延(PDF) 4 p. UHVCVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制 3 p. UHVCVD方法N型掺杂Si外延数学模拟研究 发表...
AICVD系统也能在原位超过Si基底应变层工艺,在应变Si基底层中制作结构。UHV-CVD方法,特别是AICVD系统非常适于处理大直径,今天技术的8in或10in Si晶片,或者可能成为未来标准的直径。UHV-CVD对待处理的晶片和层的直径没有固有的限制。然而,本领域的技术人员将理解其它UHV-CVD方法也可以被用于制作所需应变Si基底层。
CE=5V,"C=3mA时的放大倍数为60.关键词:UHV/CVD;硅外延;杂质分布;Sige;HBTPACC:6150J;7360F;8115H中图分类号:TN304 054文献标识码:A文章编号:0253-4177(2004)12-1666-061引言低温硅外延是当前超大规模集成电路和一些高压特殊器件急需发展的新技术,在发展其他新型器件如异质结晶体管、高速器件以及光电子器件...